[实用新型]磁共振设备、低温保持器及其屏蔽筒体有效
申请号: | 202022656784.7 | 申请日: | 2020-11-17 |
公开(公告)号: | CN213986792U | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 余兴恩;邹利军;刘建锋;刘曙光;林时顷;李博 | 申请(专利权)人: | 上海联影医疗科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R33/3815 | 分类号: | G01R33/3815;G01R33/421;A61B5/055 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 杜萌 |
地址: | 201807 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁共振 设备 低温 保持 及其 屏蔽 | ||
本实用新型提供一种磁共振设备、低温保持器及其屏蔽筒体。该屏蔽筒体包括:安装筒体,所述安装筒体呈中空的桶形设置;以及导电部件,设置于所述安装筒体,所述导电部件用于屏蔽向超导线圈组件的交变电磁场。通过导电部件起到屏蔽作用,屏蔽磁共振设备的梯度线圈组件向超导线圈组件逸散的交变电磁场,避免出现涡流而引起超导线圈组件失超的情况,同时,减小磁体内部涡流加热,保证磁共振设备正常稳定工作。
技术领域
本实用新型涉及磁医用成像设备技术领域,特别是涉及一种磁共振设备、低温保持器及其屏蔽筒体。
背景技术
超导磁共振设备正常工作时,梯度线圈会通入较大的交变电流,其产生的逸散交变场会在磁体低温保持器、超导线圈以及线圈骨架的导电材料上产生涡流。由于涡流加热效应引起磁体内部的零部件局部温度上升,热量传递到液氦中将导致液氦蒸发,磁体内部氦气压力上升。当氦气压力升高到排气阀打开状态时氦气将排出,频繁出现时磁体就出现液氦液面下降以及不能保持磁体液氦零蒸发性能。有些情况下,超导线圈的温度升高还可能导致线圈失超,主磁场消失,液氦大量蒸发,从而严重影响系统的使用。
为了解决这个问题,在梯度线圈的设计中,设置有梯度屏蔽线圈来尽量减弱梯度逸散场的强度,同时磁体的真空夹层以及真空夹层中的热屏蔽层都是金属部件,能起到一定的屏蔽梯度逸散场作用。但是,设置梯度屏蔽线圈无法充分解决此问题,尤其是没有对磁体线圈中失超风险高的线圈采取针对性解决方案。
目前,屏蔽交变逸散场的方法通常是采用良导体金属屏蔽筒的方案,但是当良导体金属屏蔽筒与梯度线圈中间区域距离较近时,这种方法将使良导体金属屏蔽筒与梯度线圈之间出现较强耦合作用,易使梯度线圈系统输出性能出现不可校正的异常情形。
也就是说,目前的磁共振设备中存在磁体运行失超以及磁体内部涡流加热效应的问题,影响磁共振设备的可靠运行。
实用新型内容
基于此,有必要针对目前的磁共振设备中存在磁体运行失超以及磁体内部涡流加热效应的问题,提供一种减小磁体内部涡流加热,避免引起超导线圈组件运行失超的磁共振设备、低温保持器及其屏蔽筒体。
一种屏蔽筒体,包括:
安装筒体,所述安装筒体呈中空的桶形设置;以及
导电部件,设置于所述安装筒体,所述导电部件用于屏蔽向超导线圈组件发射的交变电磁场。
在其中一个实施例中,所述导电部件对应所述超导线圈组件设置;
所述导电部件靠近所述安装筒体的两个端部,或者所述导电部件位于所述安装筒体的两个端部。
在其中一个实施例中,所述导电部件呈柱形,或者,所述导电部件包括多个呈片状的导电体,多个所述导电体沿所述安装筒体的周向方向间隔设置。
在其中一个实施例中,所述安装筒体具有安装槽,所述导电部件安装于所述安装槽中;
所述安装槽为通槽或盲槽;当所述安装槽为盲槽时,所述导电部件位于所述安装筒体的内壁和/或外壁。
在其中一个实施例中,所述屏蔽筒体还包括安装架,所述导电部件通过所述安装架安装于所述安装筒体的内壁和/或外壁。
在其中一个实施例中,所述导电部件集成于所述安装筒体的内部。
在其中一个实施例中,所述屏蔽筒体还包括安装接头,所述导电部件通过所述安装接头安装所述安装筒体。
一种屏蔽筒体,包括:
安装筒体,所述安装筒体围绕成腔体,且所述腔体沿轴向方向延伸,所述腔体沿轴向方向被划分为中间区域以及位于中间区域两侧的端部区域;
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