[实用新型]一种钕铁硼磁体镀层结构有效
| 申请号： | 202022655552.X | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN213277671U | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 郝志平;王佳兴;李渊;罗赣;白兰 | 申请（专利权）人： | 北京麦戈龙科技有限公司;天津沃尔斯科技有限公司;包头麦戈龙科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101300 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钕铁硼 磁体 镀层 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种钕铁硼磁体的镀层结构，包括用于包括磁体(1)的含锌层(2)和镍层(4)，其特征在于，还包括位于含锌层(2)和镍层(4)之间的镍磷合金化学镀层(3)。
2.根据权利要求1所述的镀层结构，其特征在于，还包括位于所述镍磷合金化学镀层(3)和镍层(4)之间的铜电镀层(5)。
3.根据权利要求1或2所述的镀层结构，其特征在于，所述镍磷合金化学镀层(3)的厚度为1～5μm。
4.根据权利要求1或2所述的镀层结构，其特征在于，所述含锌层(2)的厚度为2～8μm。
5.根据权利要求1或2所述的镀层结构，其特征在于，所述镍层(4)的厚度为3～8μm。
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