[实用新型]一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备有效
| 申请号： | 202022644414.1 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN213184214U | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 杨官瑜 | 申请（专利权）人： | 河南航晨纳米材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 东莞市永邦知识产权代理事务所(普通合伙) 44474 | 代理人： | 曾婉忆 |
| 地址： | 465200 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 cof 长距离 宽幅 柔性 基材 制备 设备 | ||
1.一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备，包括由真空腔室壁平面(201)包绕的真空腔室(100)，其特征在于：所述真空腔室(100)的内部安装有可转动的放卷轴(102a)和收卷轴(102b)，所述真空腔室(100)在放卷轴(102a)和收卷轴(102b)之间还设置有若干个可转动的冷却轴(103)，所述真空腔室壁平面(201)的外侧设有分子泵法兰接口(101)，所述真空腔室壁平面(201)的外侧还设有离子注入法兰接口(104)和磁过滤沉积法兰接口(105)，所述离子注入法兰接口(104)连接有离子注入装置，磁过滤沉积法兰接口(105)连接有磁过滤等离子体沉积装置，分子泵法兰接口(101)连接分子泵。
2.根据权利要求1所述的一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备，其特征在于：所述分子泵法兰接口(101)的数量为八个。
3.根据权利要求1所述的一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备，其特征在于：所述离子注入法兰接口(104)的数量为两个。
4.根据权利要求1所述的一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备，其特征在于：所述磁过滤沉积法兰接口(105)的数量为六个。
5.根据权利要求1所述的一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备，其特征在于：所述冷却轴与分子泵法兰接口、离子注入法兰接口(104)或磁过滤沉积法兰接口(105)中的一个或两个正对设置。
6.根据权利要求1所述的一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备，其特征在于，所述放卷轴(102a)和收卷轴(102b)分别设置于真空腔室(100)内的两端。
7.根据权利要求1所述的一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备，其特征在于，离子注入装置或磁过滤等离子体沉积装置能够单独或同时启动。
8.根据权利要求1所述的一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备，其特征在于，所述磁过滤等离子体沉积装置分别为两组，分别为第一磁过滤等离子体沉积装置和第二磁过滤等离子体沉积装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
