[实用新型]一种光泵浦半导体激光器芯片

权利要求书

1.一种光泵浦半导体激光器芯片，其特征在于：至少包括半导体芯片有源区(11)，所述半导体芯片有源区(11)仅设置一组量子阱(111)，该组量子阱包含连续多个量子阱，连续多个量子阱是指量子阱之间间隔小于激光在真空中波长λ的1/4n，n为有源区(11)半导体材料的折射率。

2.一种根据权利要求1所述光泵浦半导体激光器芯片，其特征在于：所述半导体芯片有源区(11)的厚度应满足泵浦光经过半导体芯片有源区(11)后能被充分吸收，同时半导体芯片有源区(11)的厚度应小于载流子的扩散半径。

3.一种根据权利要求1所述光泵浦半导体激光器芯片，其特征在于：所述半导体芯片有源区(11)连续设置的量子阱个数小于7个。

4.一种根据权利要求1所述光泵浦半导体激光器芯片，其特征在于：将所述量子阱(111)设置在激光器谐振腔激光驻波波腹位置处。

5.一种根据权利要求1所述光泵浦半导体激光器芯片，其特征在于：在所述半导体芯片有源区(11)前方设置有窗口层(13)，所述窗口层(13)用于防止有源区生成的载流子外泄，同时也起到对芯片有源区的保护作用。

6.一种根据权利要求1所述光泵浦半导体激光器芯片，其特征在于：在所述半导体芯片有源区(11)后方设置后置反射结构(12)，所述后置反射结构(12)在所述半导体芯片有源区(11)后方，对激光具有高反射性能；在所述半导体芯片有源区(11)前方设置前置反射结构(3)，所述前置反射结构(3)对入射的激光具有反射性能，其反射率R3大于50％且小于后置反射结构(12)的反射率R1；所述前置反射结构(3)与所述后置反射结构（12）构成FB腔，所述前置反射结构(3)与所述后置反射结构(12)的距离满足激光在FB腔内产生谐振。

7.一种根据权利要求5或6所述光泵浦半导体激光器芯片，其特征在于：在所述半导体芯片窗口层(13)前方设置有前置反射结构(3)。

8.一种根据权利要求7所述光泵浦半导体激光器芯片，其特征在于：所述前置反射结构(3)采用在芯片表面镀多层介质膜的方式实现。

9.一种根据权利要求1所述光泵浦半导体激光器芯片，其特征在于：在半导体芯片上设置微纳结构调节芯片中光场分布，使得所述半导体芯片有源区量子阱(111)处具有较大的激光光强。

10.一种根据权利要求1所述光泵浦半导体激光器芯片，其特征在于：所述半导体芯片有源区量子阱(111)设置在靠近激光器散热结构一侧。