[实用新型]一种用于锁相环的跨导运算放大-电容结构环路滤波器有效

专利信息
申请号: 202022569678.5 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN213602632U 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 王昆;王晓峰;郝潇;雷彦云;石锦璇;邢韶华 申请(专利权)人: 山西大学
主分类号: H03L7/093 分类号: H03L7/093
代理公司: 太原申立德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14115 代理人: 郭海燕
地址: 030006*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 锁相环 运算 放大 电容 结构 环路 滤波器
【权利要求书】:

1.一种用于锁相环的跨导运算放大-电容结构环路滤波器,其特征在于:包括有跨导运算放大器OTAi、电容CA-CB,所述跨导运算放大器OTA1的正极端与信号输入端连接,负极端分别与电容CA的一端、跨导运算放大器OTA2的负极、跨导运算放大器OTA3的正极、电容CB的一端及跨导运算放大器OTA4的负极连接并接地,Vo1端分别与电容CA的另一端、跨导运算放大器OTA2的正极端及跨导运算放大器OTA5的负极端连接,所述跨导运算放大器OTA2的Vo2端分别与信号输出端、跨导运算放大器OTA3的Vo3端及跨导运算放大器OTA4的正极端连接,所述跨导运算放大器OTA3的负极端分别与跨导运算放大器OTA5的Vo5端、电容CB的一端及跨导运算放大器OTA4的Vo3端连接,电压控制端Vt与测试信号连接,所述跨导运算放大器OTA5的正极端接地,其中,i=1、2、3、4、5。

2.根据权利要求1所述的一种用于锁相环的跨导运算放大-电容结构环路滤波器,其特征在于:所述跨导运算放大器OTAi包括有衬底交叉耦合自共源共栅差分输入电路、低压共源共栅电流镜电路和偏置电路,所述衬底交叉耦合自共源共栅差分输入电路的Vin+端与跨导运算放大器OTAi的正极端连接,Vin-端与跨导运算放大器OTAi的负极端连接,Vtune端与跨导运算放大器OTAi的电压控制端Vt端连接,端头1与低压共源共栅电流镜电路的端头4连接,端头2与低压共源共栅电流镜电路的端头3连接,所述低压共源共栅电流镜电路的端头5与偏置电路的端头7连接,端头6与偏置电路的端头8连接。

3.根据权利要求2所述的一种用于锁相环的跨导运算放大-电容结构环路滤波器,其特征在于:所述衬底交叉耦合自共源共栅差分输入电路包括有MOS晶体管Mt、P型MOS晶体管MP1-MP4、电流源IB1-IB2,所述P型MOS晶体管MP1的栅极分别与衬底交叉耦合自共源共栅差分输入电路的Vin+端、P型MOS晶体管MP3的栅极连接,源极分别与P型MOS晶体管MP3的漏极及P型MOS 晶体管MP2的衬底SUB端连接,漏极与衬底交叉耦合自共源共栅差分输入电路的端头1连接,衬底SUB端分别与P型MOS晶体管MP4的漏极及P型MOS晶体管MP2的源极连接,所述P型MOS晶体管MP2的漏极与衬底交叉耦合自共源共栅差分输入电路的端头2连接,栅极分别与衬底交叉耦合自共源共栅差分输入电路的Vin-端、P型MOS晶体管MP4的栅极连接,所述P型MOS晶体管MP3的源极分别与衬底SUB、电流源IB1的输出端及MOS晶体管Mt的漏极连接,所述P型MOS晶体管MP4的源极分别与衬底、电流源IB2的输出端及MOS晶体管Mt的源极连接,所述电流源IB1-IB2的输入端均与VDD电源连接,所述MOS晶体管Mt的栅极与衬底交叉耦合自共源共栅差分输入电路的Vtune端连接。

4.根据权利要求2所述的一种用于锁相环的跨导运算放大-电容结构环路滤波器,其特征在于:所述低压共源共栅电流镜电路包括有N型MOS晶体管MN1-MN8及电流源IB3-IB4,所述N型MOS晶体管MN1的漏极分别与低压共源共栅电流镜电路的端头4及N型MOS晶体管MN2、MN6的栅极连接,源极与N型MOS晶体管MN2的漏极连接,栅极分别与N型MOS晶体管MN3、MN5、MN7的栅极及低压共源共栅电流镜电路的端头6连接,所述N型MOS晶体管MN2的源极分别与N型MOS晶体管MN4、MN6、MN8、MN10的源极及低压共源共栅电流镜电路的端头5连接并接地,所述N型MOS晶体管MN3的漏极分别与低压共源共栅电流镜电路的端头3及N型MOS晶体管MN4、MN8的栅极连接,源极与N型MOS晶体管MN4的漏极连接,所述N型MOS晶体管MN5的源极与N型MOS晶体管MN6的漏极连接,漏极与电流源IB3的输出端连接,所述N型MOS晶体管MN7的源极与N型MOS晶体管MN8的漏极连接,漏极与电流源IB4的输出端连接,所述电流源IB3-IB4的输入端均与VDD电源连接。

5.根据权利要求2所述的一种用于锁相环的跨导运算放大-电容结构环路滤波器,其特征在于:所述偏置电路包括有P型MOS晶体管MP5-MP8、N型MOS晶体管MN9-MN10及限流电阻R1-R2,所述P型MOS晶体管MP5的源极分别与P型MOS晶体管MP7的源极及VDD电源连接,漏极与P型MOS晶体管MP6的源极连接,栅极分别与P型MOS晶体管MP7的栅极、P型MOS晶体管MP8的漏极及限流电阻R1的一端连接,所述P型MOS晶体管MP6的漏极分别与N型MOS晶体管MN9的栅极及N型MOS晶体管MN10的漏极连接,栅极分别与P型MOS晶体管MP8的栅极、限流电阻的另一端、N型MOS晶体管MN9的漏极及偏置电路的端头8连接,所述P型MOS晶体管MP7的漏极与P型MOS晶体管MP8的源极连接,所述N型MOS晶体管MN9的源极分别与N型MOS晶体管MN10的栅极及限流电阻R2的一端连接,所述N型MOS晶体管MN10的源极分别与限流电阻R2的另一端及偏置电路的端头7连接。

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