[实用新型]一种碳化硅晶体激光切片装置有效

专利信息
申请号: 202022566595.0 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN214024100U 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 叶宏伦;洪天河 申请(专利权)人: 璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司
主分类号: B23K26/38 分类号: B23K26/38;B23K26/08;B23K26/06;B23K26/064;B23K26/70
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人: 罗恒兰
地址: 210000 江苏省南京市江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 晶体 激光 切片 装置
【权利要求书】:

1.一种碳化硅晶体激光切片装置,其特征在于:包括激光切割机构和热力分离机构;

所述激光切割机构包括工作台以及设置在工作台上方的切割光源,所述工作台用于放置碳化硅晶体,所述切割光源用于扫描碳化硅晶体,且该切割光源产生的光束在碳化硅晶体上的入射点形成一圆环,所述切割光源产生的光束在碳化硅晶体上的入射角θ大于60°;所述切割光源产生的光束在碳化硅晶体内形成一汇聚点,该汇聚点满足以下条件:

其中,r为圆环的半径,h为切割深度,即汇聚点与碳化硅晶体之间的距离,n为碳化硅晶体的折射率;

所述热力分离机构包括旋转盘、垂直辐射光源和侧面辐射光源,所述旋转盘用于防止晶激光切割机构处理过的碳化硅晶体,该旋转盘连接有驱动其转动的驱动件;所述垂直辐射光源设置在旋转盘上方,其产生的光束用于垂直进入碳化硅晶体内;所述侧面辐射光源设置在旋转盘的侧边,其产生的光束以2-5°的入射角进入碳化硅晶体内。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体激光切片装置,其特征在于:所述切割光源产生的光束中的每个光束的能量小于碳化硅晶体的热熔能量阈值;所述切割光源产生的光束在碳化硅晶体的汇聚点处的能量大于碳化硅晶体的热熔阈值。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体激光切片装置,其特征在于:所述旋转盘的10-30Hz的频率旋转。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体激光切片装置,其特征在于:所述切割光源由多个高斯激光束构成。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体激光切片装置,其特征在于:所述垂直辐射光源产生平行光束,该平行光束在碳化硅晶体上形成一圆面,该圆面的直径等于碳化硅晶体的圆面半径。

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