[实用新型]MEMS传感器和电子设备

权利要求书

1.一种MEMS传感器，包括外部封装结构和设于所述外部封装结构内的MEMS芯片，所述外部封装结构包括电路板，所述电路板开设有供外部声波传入的入声孔，其特征在于，所述外部封装结构还包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层沿所述入声孔的入声方向依次间隔设置，所述第一阻挡层开设有第一透声孔，所述第二阻挡层开设有第二透声孔，所述第一透声孔和所述第二透声孔错位设置。

2.如权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，所述第一阻挡层设于所述入声孔内；

且/或，所述第二阻挡层设于所述入声孔内。

3.如权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，所述第一阻挡层与所述电路板为一体结构；

且/或，所述第二阻挡层与所述电路板为一体结构。

4.如权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，所述第一透声孔设有若干，若干所述第一透声孔间隔设置；所述第二透声孔设有若干，若干所述第二透声孔间隔设置；

定义若干所述第一透声孔沿所述入声孔的轴向在所述第二阻挡层上对应的区域为直吹区域，则每一所述第二透声孔均位于所述直吹区域之外。

5.如权利要求4所述的MEMS传感器，其特征在于，若干所述第一透声孔沿所述第一阻挡层的外缘依次间隔设置；

定义若干所述第二透声孔沿所述入声孔的轴向在所述第一阻挡层上对应的区域为阻挡区域，若干所述第一透声孔围设在所述阻挡区域的四周。

6.如权利要求4所述的MEMS传感器，其特征在于，若干所述第二透声孔沿所述第二阻挡层的外缘依次间隔设置，若干所述第二透声孔围设在所述直吹区域的四周。

7.如权利要求1至6中任一项所述的MEMS传感器，其特征在于，定义所述第一阻挡层的厚度为D1，则满足条件5μm≤D1≤10μm。

8.如权利要求7所述的MEMS传感器，其特征在于，定义所述第二阻挡层的厚度为D2，则满足条件5μm≤D2≤10μm。

9.如权利要求1至6中任一项所述的MEMS传感器，其特征在于，定义所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间的距离为L，则满足条件5μm≤L≤15μm。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的MEMS传感器。