[实用新型]适于富氧工艺使用的等离子弧割炬头

权利要求书

1.一种适于富氧工艺使用的等离子弧割炬头，其特征在于，包括：电极、套设于电极上的分配器以及喷嘴，所述喷嘴的内壁设置适于所述分配器下端限位的限位台阶，所述电极的外壁设置有限位环，所述分配器的上端通过所述限位环进行限位，所述电极的外壁与所述分配器的内壁以及所述喷嘴的内壁之间的空间形成离子气流室，所述喷嘴的下端面开设有喷口，所述离子气流室与所述喷口连通，所述分配器的侧壁开设有适于气源进入的分配孔，气源从所述分配孔进入所述离子气流室后经所述电极电离后呈离子气流状从所述喷口喷出，其中所述喷口的直径为D，1.4mm≤D≤2.2mm。

2.如权利要求1所述的适于富氧工艺使用的等离子弧割炬头，其特征在于，所述电极为整体呈上具有开口的圆管形状，所述电极的上部的直径为d1,所述电极的下部的直径为d2,其中10.3mm≤d1≤10.7mm，10mm≤d2≤10.2mm，所述电极的内部直径为d3,7.4mm≤d3≤7.8mm。

3.如权利要求2所述的适于富氧工艺使用的等离子弧割炬头，其特征在于，所述限位环的高度为h1，所述电极下部的高度为h2,所述电极上部的高度为h3，其中，1.99≤h1≤2.01mm,27.9≤h2≤28.1mm,10≤h3≤11mm，所述限位环的直径为d4，所述电极在限位环的两侧开设有第一密封圈安装槽，第一密封圈安装槽的直径范围在9.6-9.9mm之间，第一密封圈安装槽的高度为1.9-2.mm，所述电极在限位环的两侧分别设置有第一凸环以及第二凸环，所述第一凸环以及所述第二凸环的直径大于d1，两个所述第一密封圈安装槽分别开设于所述第一凸环以及所述第二凸环上，所述第一凸环上的安装槽距离限位环0.9-11mm，所述第二凸环上的安装槽距离限位环1.9mm-2.1mm。

4.如权利要求3所述的适于富氧工艺使用的等离子弧割炬头，其特征在于，所述电极的底部为圆台形，且圆台形的底部的上底面设置有倒角，倒角的直径R1为0.3mm，倒角后的上底面的直径范围在5.8-5.9mm之间，圆台形的底部的下底面的直径在9.7-9.9mm之间，所述圆台的高度范围在2.9-3.1mm之间，圆台形的底部的下底面与电极的下部设置有过渡斜面，过渡斜面的高度为0.2mm，过渡斜面距离圆台形的底部的上底面的距离在5.4-5.6mm之间。

5.如权利要求2所述的适于富氧工艺使用的等离子弧割炬头，其特征在于，所述电极的内腔的底部开设置有朝向电极开口方向设置的分流台，所述分流台为设置于所述电极的轴心线上，所述分流台的上底面直径在2.4-2.6mm之间，所述分流台的下底面直径在3.6-3.8mm之间，所述分流台的高度在2.4-2.6mm之间，所述上底面与所述分流台的侧壁之间设置有导向斜面，导向斜面的高度在0.5-0.6mm之间。

6.如权利要求1所述的适于富氧工艺使用的等离子弧割炬头，其特征在于，所述分配器整体呈上下连通的圆管形状，所述分配器的高度在17-18mm之间，所述分配器通过分配孔分为上部以及下部，所述分配器下部的外壁直径在19.4-19.6mm之间，所述分配器的上部的外壁直径在18.8-19mm之间，所述分配器的上部的高度在8.8-9mm之间，所述分配器的上部以及下部之间开设有环形气流槽，所述分配孔设置于所述气流槽的底部，所述气流槽的高度在1.9-2.1mm之间，所述环形气流槽的直径在17.4-17.6mm之间，所述分配器在分配孔朝下的内壁的直径在14.4-14.6mm之间，所述分配器的上部的内壁向轴心延伸出卡接台，所述电极卡接在所述卡接台上，且通过所述限位环进行限位，所述卡接台的内壁直径在12-12.5mm之间。

7.如权利要求6所述的适于富氧工艺使用的等离子弧割炬头，其特征在于，所述分配器的下部开设有第二密封圈安装槽，所述喷嘴套设在所述分配器上时通过安装在第二密封圈安装槽上的第二密封圈进行密封,所述分配器的上部开设有第三密封圈安装槽，所述分配器的上部与外部器件套设时通过安装在第三密封圈安装槽上的第三密封圈进行密封。