[实用新型]温度控制系统及变温霍尔效应实验装置有效

专利信息
申请号: 202022524313.0 申请日: 2020-11-04
公开(公告)号: CN213182447U 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 何健钊;周锦泽;李旭;冯强;范勇;胡中军 申请(专利权)人: 四川世纪中科光电技术有限公司
主分类号: G05D23/19 分类号: G05D23/19
代理公司: 成都赛恩斯知识产权代理事务所(普通合伙) 51212 代理人: 张帆;张端阳
地址: 610100 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 温度 控制系统 霍尔 效应 实验 装置
【权利要求书】:

1.一种温度控制系统,其特征在于,包括:

半导体制冷片,具有工作面和非工作面;

温度传感器,用于监测所述工作面处的温度;

热管,具有蒸发段和冷凝段;

散热器,用于对所述热管进行强制散热;

其中,所述温度传感器固定于所述工作面处;所述蒸发段与所述非工作面贴合固定;所述散热器固定于所述冷凝段处;

此外,还包括电控装置,所述电控装置包括:

数据处理单元,用于接收并处理所述温度传感器的监测结果;

电流控制单元,用于控制流经所述半导体制冷片的电流的方向及大小;

其中,所述数据处理单元与所述温度传感器和所述电流控制单元分别通讯连接。

2.根据权利要求1所述的温度控制系统,其特征在于,所述热管采用一端扁平的热管。

3.根据权利要求1所述的温度控制系统,其特征在于,所述散热器采用强制散热器。

4.根据权利要求1所述的温度控制系统,其特征在于,所述电控装置采用温控仪。

5.变温霍尔效应实验装置,用于测量不同温度中待测材料的霍尔效应相关数据,其特征在于,包括:

权利要求1~4中任意一项所述温度控制系统;

电磁体组件,用于形成均匀磁场区域;

其中,所述半导体制冷片固定于所述均匀磁场区域内,并垂直于磁场方向;所述待测材料放置于所述工作面处;所述散热器设置于所述电磁体外部。

6.根据权利要求5所述的变温霍尔效应实验装置,其特征在于,所述电磁体组件包括一组对设的电磁铁。

7.根据权利要求6所述的变温霍尔效应实验装置,其特征在于,所述电磁铁间距小于等于8mm。

8.根据权利要求5所述的变温霍尔效应实验装置,其特征在于,还包括实验电控装置,所述实验电控装置包括:

励磁单元,用于控制所述电磁体内电流的方向和大小;

实验控制单元,用于控制所述待测材料内电流的方向和大小;

实验检测单元,用于测量所述待测材料的霍尔效应相关数据;

其中,所述励磁单元通过导线与所述电磁体连接;所述实验控制单元和所述实验检测单元分别通过导线与所述待测材料对应连接。

9.根据权利要求8所述的变温霍尔效应实验装置,其特征在于,所述实验电控装置采用霍尔效应测试仪。

10.根据权利要求5所述的变温霍尔效应实验装置,其特征在于,还包括一罩体,所述罩体活动罩设于所述半导体制冷片外,将所述半导体制冷片与外界隔开。

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