[实用新型]一种高抗射频麦克风电路系统

说明书

本实用新型适用于麦克风线路技术领域，提供了一种高抗射频麦克风电路系统，包括电源、场效应晶体管、第一电容、第二电容、第三电容和电压传感器；所述电源的正极连接输出端，负极连接接地端，所述电极的正极和输出端之间连第三电容，所述电压传感器连接于电源的正极和第三电容之间，且所述电压传感器连接一过滤电阻；所述第一电容和第二电容并联于输出端和接地端之间。借此，本实用新型可以降低产品中泄漏的射频能量，同时增强其对辐射的抗干扰能力。

技术领域

本实用新型涉及麦克风线路技术领域，尤其涉及一种高抗射频麦克风电路系统。

背景技术

通信技术的不断发展，电子产品信息交互显得尤为突出，在信息交换时，发射与接收信号过程中会产生电磁干扰。当下麦克风对声音转换性能的要求越来越高，但是当下缺少用于麦克风的抗射频线路，特别是当麦克风装置安装在手机等通讯产品上时，通讯产品产生的射频信号和辐射会让麦克风容易产生噪音。

综上可知，现有技术在实际使用上显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。

实用新型内容

针对上述的缺陷，本实用新型的目的在于提供一种高抗射频麦克风电路系统，其可以降低产品中泄漏的射频能量，同时增强其对辐射的抗干扰能力。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种高抗射频麦克风电路系统，包括包括电源、场效应晶体管、第一电容、第二电容、第三电容和电压传感器；所述电源的正极连接输出端，负极连接接地端，所述电极的正极和输出端之间连第三电容，所述电压传感器连接于电源的正极和第三电容之间，且所述电压传感器连接一过滤电阻；所述第一电容和第二电容并联于输出端和接地端之间。

根据本实用新型的一种高抗射频麦克风电路系统，所述第一电容和第二电容之间连接有一可变电阻。

根据本实用新型的一种高抗射频麦克风电路系统，所述高抗射频麦克风线路连接于麦克风的PCB，并通过SMT方式将电子元件贴装到PCB上，组成 PCBA带有“π”型滤波线路的线路板组件。

根据本实用新型的一种高抗射频麦克风电路系统，所述线路板组件装配到已经装配好其他部件的麦克风外壳上，封装成麦克风。

根据本实用新型的一种高抗射频麦克风电路系统，所述第一电容的电容量为5.6pF，第二电容的电容量为10nF，可变电阻的阻值为390Ω。

根据本实用新型的一种高抗射频麦克风电路系统，所述场效应晶体管包括G 极、D极和S极，所述G极连接电源E，所述S极连接接地端，所述D极连接输出端；

本实用新型提供了一种高抗射频麦克风电路系统，包括电源E、场效应晶体管FET、第一电容C₁、第二电容C₂、第三电容C₃和电压传感器Vs；所述电源 E的正极连接输出端，负极连接接地端，所述电极的正极和输出端之间连第三电容C₃，所述电压传感器Vs连接于电源E的正极和第三电容C₃之间，且所述电压传感器Vs连接一过滤电阻RL；所述场效应晶体管FET包括G极、D极和S 极，所述G极连接电源E，所述S极连接接地端，所述D极连接输出端；所述第一电容C₁和第二电容C₂并联于输出端和接地端之间，当无线信号发射时会将 5MHz～2.7GHz整个频段的射频信号滤掉，保证麦克风使用时无射频干扰。

附图说明

图1是本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明，应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。