[实用新型]一种具有双向ESD保护能力的SGT MOSFET器件有效
| 申请号： | 202022484962.2 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN213184301U | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;赵一尚;胡汶金;林泳浩;李伟聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭西洋;袁曼曼 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双向 esd 保护 能力 sgt mosfet 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有双向ESD保护能力的SGT MOSFET器件，包括元胞结构，其特征在于，所述元胞结构包括从下至上依次层叠的漏极金属、N+衬底、N型漂移区、源极金属；所述N型漂移区上表面一侧形成沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包括从上至下依次设置的N+Poly栅极、P型轻掺杂一区、N型轻掺杂区、P型轻掺杂二区、N型源极接触区；所述N型漂移区上表面另一侧设有紧邻沟槽栅极结构的P型基区；所述P型基区的上表面设有相互接触的N型重掺杂区和P型重掺杂区，且N型重掺杂区紧邻沟槽栅极结构设置；所述沟槽栅极结构的下表面、侧面以及上表面均设有氧化层，用于隔离N型漂移区、P型基区、N型重掺杂区以及源极金属。
2.根据权利要求1所述的具有双向ESD保护能力的SGT MOSFET器件，其特征在于，所述P型轻掺杂一区、N型轻掺杂区、P型轻掺杂二区、N型源极接触区的侧面与N型漂移区之间的氧化层的厚度大于N+Poly栅极侧面的氧化层的厚度。
3.根据权利要求1所述的具有双向ESD保护能力的SGT MOSFET器件，其特征在于，所述N型源极接触区与源极金属相连接。
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