[实用新型]一种NMOS高侧驱动电路

权利要求书

1.一种NMOS高侧驱动电路，包括微控制器电路、光电隔离电路、升压驱动电路、NMOS管、辅助电源电路、被控直流电源和被控负载或用电装置；其特征在于：所述的微控制器电路和升压驱动电路、辅助电源电路、被控直流电源、被控负载或用电装置各自使用两个独立电源，通过光电隔离电路进行隔离，所述微控制器电路产生一定频率的方波，该方波经所述光电隔离电路送入所述升压驱动电路进行整流升压，所述升压驱动电路的输出是“浮地”的，直接连接于NMOS管的栅极和源极之间，作为所述NMOS管的栅极和源极的驱动电压，所述NMOS管的漏极接所述的被控直流电源，所述NMOS管的源极接所述被控负载或用电装置的电源正极性端，所述辅助电源电路的输入由所述被控直流电源提供，所述辅助电源电路为所述升压驱动电路提供电源。

2.根据权利要求1所述的NMOS高侧驱动电路，其特征在于：所述的微控制器电路包括一个微控制器。

3.根据权利要求2所述的NMOS高侧驱动电路，其特征在于：所述微控制器的一个I/O引脚能产生1KHz以上的方波。

4.根据权利要求3所述的NMOS高侧驱动电路，其特征在于：所述微控制器的一个I/O引脚在需要NMOS管导通时产生方波输出，在需要NMOS管截止时所述微控制器的一个I/O引脚停止方波输出。

5.根据权利要求3或权利要求4所述的NMOS高侧驱动电路，其特征在于：所述微控制器的一个I/O引脚在需要NMOS管截止时输出低电平。

6.根据权利要求1所述的NMOS高侧驱动电路，其特征在于：所述的光电隔离电路包括微控制器输出限流电阻(R1)、NPN型三极管(Q1)、光电耦合器(IC2)、光电耦合器输入端的限流电阻(R2)和光电耦合器输出端的负载电阻(R3)；其中，微控制器输出限流电阻(R1)一端连接微控制器的一个I/O引脚，另一端连NPN型三极管(Q1)基极，NPN型三极管(Q1)的发射极接微控制器的电源地、集电极接光电耦合器输入端发光二极管的阴极端，光电耦合器输入端发光二极管的阳极端连限流电阻(R2)的一端、限流电阻(R2)的另一端接到微控制器供电电源的正极，光电耦合器输出端晶体管的发射极接被控直流电源的负极接地端，光电耦合器输出端晶体管的集电极连到负载电阻(R3)的一端和升压驱动电路的输入端，负载电阻(R3)的另一端接到辅助电源输出的正极端。

7.根据权利要求1所述的NMOS高侧驱动电路，其特征在于：所述的升压驱动电路包括四个二极管(D1～D4)和五个无极性电容(C5～C9)；其中，电容(C5)的一端和电容(C6)一端接在一起作为升压驱动电路的一个输入端，升压驱动电路的另一个输入端接被控直流电源的负极接地端，电容(C5)的另一端、二极管(D1)的阴极和二极管(D2)的阳极连接在一起，电容(C7)的一端、二极管(D2)的阴极和二极管(D3)的阳极连接在一起，电容(C6)的另一端、二极管(D3)的阴极和二极管(D4)的阳极连接在一起，二极管(D1)的阳极、电容(C7)的另一端、电容(C8)的一端和电容(C9)的一端连接在一起作为升压驱动电路的负极输出端接NMOS管的源极，电容(C9)的另一端接被控直流电源的负极接地端，电容(C8)的另一端和二极管(D4)的阴极连接在一起作为升压驱动电路的正极输出端接NMOS管的栅极。

8.根据权利要求7所述的NMOS高侧驱动电路，其特征在于：升压驱动电路的输出取自电容(C8)的两端，是“浮地”的，直接连接于NMOS管的栅极和源极之间。

9.根据权利要求1所述的NMOS高侧驱动电路，其特征在于：所述NMOS管的栅极和源极之间接有100kΩ的电阻(R4)。