[实用新型]一种母线电压隔离采样电路

权利要求书

1.一种母线电压隔离采样电路，其特征在于：包括用于隔离微弱信号电路、防止干扰的弱电隔离控制电路，用于降压稳压驱动MOS管的驱动电路和用于对母线电压进行隔离采样的隔离降压电路；

弱电隔离控制电路包括三极管T1；驱动电路包括用于隔离驱动的高速光耦U1；隔离降压电路包括MOS管Q1和高频脉冲变压器VT1；

高速光耦U1的A端连接信号电源，高速光耦U1的C端连接三极管T1的集电极；

三极管T1的基极连接信号输入端Fin，三极管T1的发射极连接信号地GND；

高速光耦U1的VCC端和高频脉冲变压器VT1的P1端连接母线电源端P+，高速光耦U1的VEE端连接电位点N，高速光耦U1的VO端连接MOS管Q1的栅极；

MOS管Q1的漏极连接高频脉冲变压器VT1的P2端，MOS管Q1的源极连接电位点N；

高频脉冲变压器VT1的S1端连接采样电位点UPN，高频脉冲变压器VT1的S2端连接信号地GND。

2.根据权利要求1所述的一种母线电压隔离采样电路，其特征在于：高速光耦U1的输出上升延迟和下降延迟均＜100ns。

3.根据权利要求1所述的一种母线电压隔离采样电路，其特征在于：弱电隔离控制电路还包括第五电阻R5、第七电阻R7、第八电阻R8、第十电阻R10、第二电容C2、第四电容C4；

第五电阻R5串联在+5V电源和高速光耦U1的A端之间；

第七电阻R7与第二电容C2并联且并联在高速光耦U1的A端和C端之间；

第八电阻R8串联在信号输入端Fin与三极管T1的基极之间；

第四电容C4与第十电阻R10并联且并联在三极管T1的基极和发射极之间。

4.根据权利要求1所述的一种母线电压隔离采样电路，其特征在于：驱动电路还包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、TVS管ZD1、电解电容E1、第一电容C1、第九电阻R9；

第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4依次串联在高速光耦U1的VCC端与母线电源端P+之间；

第一电容C1并联在高速光耦U1的VCC端和VEE端之间；

电解电容E1的正极连接高速光耦U1的VCC端，电解电容E1的负极连接高速光耦U1的VEE端；

TVS管ZD1的负极连接高速光耦U1的VCC端，TVS管ZD1的正极连接高速光耦U1的VEE端；

第九电阻R9串联在高速光耦U1的VO端与MOS管Q1的栅极之间。

5.根据权利要求4所述的一种母线电压隔离采样电路，其特征在于：还包括用于防止电源端P+被反接的二极管D1；

二极管D1的正极连接电源端P+，二极管D1的负极连接第四电阻R4的一端和高频脉冲变压器VT1的P1端。

6.根据权利要求1所述的一种母线电压隔离采样电路，其特征在于：隔离降压电路还包括二极管D2、第三电容C3、第六电阻R6；

二极管D2的正极连接高频脉冲变压器VT1的S1端，二极管D2的负极连接电位点UPN；

第三电容C3与第六电阻R6并联且并联在高频脉冲变压器VT1的S1端和S2端之间。

7.根据权利要求1所述的一种母线电压隔离采样电路，其特征在于：还包括作为MOS管Q1的GS电阻、用于避免MOS管Q1因为寄生电容而误导通的第十一电阻R11；

第十一电阻R11并联在MOS管Q1的栅极和源极之间。