[实用新型]一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片

权利要求书

1.一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片，其特征在于，包括：上下玻璃基板，TFT阵列模块，铌酸锂电光调制模块，透明电极以及滤光片；其中，所述铌酸锂电光调制模块包括铌酸锂晶体层与电介质反射镜矩阵，所述透明电极靠近铌酸锂电光调制模块的一侧，形成黑矩阵，黑矩阵与铌酸锂电光调制模块中的电介质反射镜矩阵呈位置互补关系。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片，其特征在于，所述铌酸锂电光调制模块的周期型排列结构可通过反应铬离子刻蚀等干法刻蚀刻蚀的方式实现。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片，其特征在于，相邻像素单元的间距为b，0.1≤b≤0.5 μm。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片，其中所包含的铌酸锂电光调制模块同样可以替代一切透射式液晶电光器件中的液晶调光模块。