[实用新型]一种高速耐压的耦合电路

说明书

本实用新型公开了一种高速耐压的耦合电路，包括：光耦隔离电路，发光二极管正极与第一电阻R1一侧电连接，第一电阻R1另一侧与第一电源电压电连接，接电源端VCC分别与第二电源电压和电容C1一侧电连接，电容C1另一侧接地，集电极开路输出口Vo与第二电阻R2一侧电连接，第二电阻R2另一侧与第二电源电压电连接，接地端GND接地；驱动电路，基极分别与第三电阻R3一侧和第四电阻R4一侧电连接，第四电阻R4另一侧接地，发射极接地；其中，集电极开路输出口Vo与第三电阻R3另一侧电连接。本实用新型的高速耐压的耦合电路通过光耦隔离电路和驱动电路的配合设置，既保证了高速信号的有效传输，又满足了系统里静态高耐压的要求。

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，具体涉及一种高速耐压的耦合电路。

背景技术

在时间服务器中，有些静态输出接点需要很高的耐压值，同时，这些输出信号又需要非常陡峭的上升沿，其与原始信号的延迟要求非常小，在ns量级。用光耦隔离电路很难同时满足这两个条件。

目前在时间服务器的应用中，还存在的问题为：市场上满足高速传输要求的光耦(例如ns量级)，其耐压值一般不超过30V，而满足高耐压(例如220V) 的光耦的传输延迟一般在ms量级，无法满足某些电力应用场景的要求。

基于上述情况，本实用新型提出了一种高速耐压的耦合电路，可有效解决以上问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高速耐压的耦合电路。本实用新型的高速耐压的耦合电路结构简单，通过光耦隔离电路和驱动电路的配合设置，满足了电力应用场景中需要兼顾高耐压和高速的要求；既保证了高速信号的有效传输，又满足了系统里静态高耐压的要求。

本实用新型通过下述技术方案实现：

一种高速耐压的耦合电路，包括：

光耦隔离电路，包括高速光耦U27、第一电阻R1、第二电阻R2、电容C1、第一电源电压和第二电源电压；

所述高速光耦U27包括发光二极管正极、发光二极管负极、接电源端VCC、使能控制口Ve、集电极开路输出口Vo和接地端GND；所述发光二极管正极与第一电阻R1一侧电连接，所述第一电阻R1另一侧与第一电源电压电连接，所述接电源端VCC分别与第二电源电压和电容C1一侧电连接，所述电容C1另一侧接地，所述集电极开路输出口Vo与第二电阻R2一侧电连接，所述第二电阻 R2另一侧与第二电源电压电连接，所述接地端GND接地；

驱动电路，包括耐压三极管Q3、第三电阻R3、第四电阻R4；所述耐压三极管Q3包括基极、集电极和发射极，所述基极分别与第三电阻R3一侧和第四电阻R4一侧电连接，所述第四电阻R4另一侧接地，所述发射极接地；

其中，所述集电极开路输出口Vo与第三电阻R3另一侧电连接。

本实用新型的目的在于提供一种高速耐压的耦合电路。本实用新型的高速耐压的耦合电路结构简单，通过光耦隔离电路和驱动电路的配合设置，满足了电力应用场景中需要兼顾高耐压和高速的要求；既保证了高速信号的有效传输，又满足了系统里静态高耐压的要求。

优选的，所述高速光耦U27为型号6N137的光耦。

优选的，所述耐压三极管Q3为型号MMBTA42的三极管。

优选的，所述电容C1的电容值为100nF。

优选的，所述第一电阻R1的阻值为220Ω，第二电阻R2的阻值为470Ω，第三电阻R3的阻值为2KΩ，第四电阻R4的阻值为20KΩ。

本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：