[实用新型]一种双面增加粘接层的平板型半导体有效
| 申请号： | 202022392194.8 | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN213636037U | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 包东升;阮炜;吕庆鑫 | 申请（专利权）人： | 浙江先导热电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/08 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 郑汝珍 |
| 地址： | 324200 浙江省衢州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双面 增加 粘接层 平板 半导体 | ||
【权利要求书】：
1.一种双面增加粘接层的平板型半导体，包括陶瓷板（1）、铜粒（2）和导线（4），铜粒（2）设置在两个陶瓷板（1）之间，导线（4）焊接在两个陶瓷板（1）之间；其特征在于，所述的铜粒（2）两侧与陶瓷板（1）之间分别设置有采用导热胶水的粘接层；在陶瓷板（1）之间的导线焊点处填充有胶水（5）。
2.根据权利要求1所述的一种双面增加粘接层的平板型半导体，其特征在于，所述的导线焊点处填充的胶水（5）强度大于等于0.5kg/mm2。
3.根据权利要求1或2所述的一种双面增加粘接层的平板型半导体，其特征在于，所述的两个陶瓷板（1）之间的边缘侧填充有环氧胶水。
4.根据权利要求1所述的一种双面增加粘接层的平板型半导体，其特征在于，所述的导热胶水的导热范围在2.3~2.7W/(m·k)。
5.根据权利要求1或4所述的一种双面增加粘接层的平板型半导体，其特征在于，所述的陶瓷板（1）上设置有适配于铜粒（2）的凹槽，铜粒（2）设置在凹槽中。
6.根据权利要求5所述的一种双面增加粘接层的平板型半导体，其特征在于，所述的铜粒（2）阵列设置在陶瓷板（1）之间，凹槽的宽度由上至下逐渐缩小。
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