[实用新型]一种高性能整流二极管

说明书

本实用新型公开了一种高性能整流二极管，包括主体，所述主体的两侧表面各设置有多个连接触头，所述主体的外侧对称设置有两个防护壳，两个所述防护壳的内部两侧均设置有限制滑块，所述主体的两端与限制滑块连接处均设置有限制滑槽，在本实用新型中的主体外侧设计了可以相互拼接的两个防护壳，防护壳通过内部两侧的限制滑块与主体上的限制滑槽卡合，使得两个防护壳上的拼接槽与拼接凸起相互卡合密封，再通过卡扣穿过卡孔固定，使得主体和连接触头被保护在两个密封连接的防护壳内，避免携带时发生碰撞导致连接触头断裂的情况发生，同时防护壳的拆卸也非常方便快捷，不影响使用，主体底部设计了多个散热槽，可加快主体的散热效率。

技术领域

本实用新型属于整流二极管技术领域，具体涉及一种高性能整流二极管。

背景技术

整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流，称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流，但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用；现在的整流二极管外侧有多个连接触头，携带时发生碰撞有可能导致触头断裂，影响使用。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高性能整流二极管，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高性能整流二极管，包括主体，所述主体的两侧表面各设置有多个连接触头，所述主体的外侧对称设置有两个防护壳，两个所述防护壳的内部两侧均设置有限制滑块，所述主体的两端与限制滑块连接处均设置有限制滑槽，所述限制滑块延伸至限制滑槽内滑动连接，一个所述防护壳的边缘处设置有拼接槽，另一个所述防护壳上与拼接槽对应位置处设置有拼接凸起，所述拼接凸起延伸至拼接槽内卡合连接，一个所述防护壳的两侧各设置有一个固定套，所述固定套上设置有卡孔，另一个所述防护壳的两侧各设置有一个卡扣，所述卡扣穿过对应的卡孔卡合固定。

优选的，所述主体的底部表面等距离设置有多个散热槽，所述散热槽的内侧表面贴合设置有散热铝板。

优选的，位于所述主体同一端的两个限制滑槽之间相互不连通，所述限制滑槽的尺寸与限制滑块的尺寸相匹配。

优选的，所述卡扣的端部为钩状结构，且卡扣为塑料构件。

优选的，所述拼接槽的形状尺寸与拼接凸起的形状尺寸相匹配。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：在本实用新型中的主体外侧设计了可以相互拼接的两个防护壳，防护壳通过内部两侧的限制滑块与主体上的限制滑槽卡合，使得两个防护壳上的拼接槽与拼接凸起相互卡合密封，再通过卡扣穿过卡孔固定，使得主体和连接触头被保护在两个密封连接的防护壳内，避免携带时发生碰撞导致连接触头断裂的情况发生，同时防护壳的拆卸也非常方便快捷，不影响使用，主体底部设计了多个散热槽，可加快主体的散热效率。

附图说明

图1为本实用新型的俯视剖视结构示意图；

图2为本实用新型的一侧的防护壳结构示意图；

图3为本实用新型另一侧的防护壳的结构示意图；

图4为本实用新型的A处剖视结构示意图；