[实用新型]修复电路和存储器

说明书

本申请实施例涉及一种修复电路和存储器，修复电路包括：多个冗余存储单元，每个冗余存储单元配置有一状态信号；修复模块，分别与多个冗余存储单元连接，用于根据多个状态信号，从多个冗余存储单元中确定出目标存储单元，并通过目标存储单元对缺陷存储单元进行修复；其中，目标存储单元与缺陷存储单元一一对应，修复模块能够在多个修复阶段分别对不同的缺陷存储单元进行修复，且多个修复阶段共用多个冗余存储单元。通过响应于冗余存储单元的状态信号，选择目标存储单元，并在多个修复阶段共用冗余存储单元，提高了对缺陷存储单元的修复率和修复灵活性，即，提供了一种修复灵活性和可靠性更高的修复电路。

技术领域

本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种修复电路和存储器。

背景技术

半导体存储器是一种利用半导体电路进行存取的存储器，因其快速的存储速度和高集成度被广泛应用于各个领域。为了获得更高的灵活性和可靠性，通常会在存储器中设置一定数量的冗余存储单元，以在正常存储单元发生损坏时作为替代。但是，随着正常存储单元的数量不断增加，现有的冗余存储单元的数量已无法满足存储器的修复需求，导致缺陷存储单元的修复率不足。

实用新型内容

基于此，有必要针对缺陷存储单元的修复率不足的问题，提供一种修复电路和存储器。

一种修复电路，包括：

多个冗余存储单元，每个所述冗余存储单元配置有一状态信号；

修复模块，分别与所述多个冗余存储单元连接，用于根据多个所述状态信号，从多个所述冗余存储单元中确定出目标存储单元，并通过所述目标存储单元对缺陷存储单元进行修复；

其中，所述目标存储单元与所述缺陷存储单元一一对应，所述修复模块能够在多个修复阶段分别对不同的所述缺陷存储单元进行修复，且多个所述修复阶段共用所述多个冗余存储单元。

在其中一个实施例中，所述修复模块包括：

选择单元，用于根据多个所述状态信号生成单元选择信号；

存储修复单元，分别与所述选择单元和所述多个冗余存储单元连接，用于接收所述单元选择信号，根据所述单元选择信号确定所述目标存储单元，并通过所述目标存储单元对所述缺陷存储单元进行修复。

在其中一个实施例中，所述选择单元用于根据预设修复次序和多个所述状态信号生成所述单元选择信号。

在其中一个实施例中，所述单元选择信号包括多个使能信号，多个所述使能信号与多个所述冗余存储单元一一对应，且在同一时刻多个所述使能信号中的至多一个使能有效；

所述选择单元包括多个生成电路，每个所述生成电路用于对应生成一个所述使能信号；

其中，存储修复单元用于确定使能有效的所述使能信号对应的所述冗余存储单元作为所述目标存储单元。

在其中一个实施例中，所述状态信号携带对应的所述冗余存储单元的占用信息，所述占用信息包括已占用和未占用，所述选择单元包括第一生成电路，所述第一生成电路用于生成第一使能信号，定义位于第一修复次序的所述冗余存储单元为第一冗余存储单元；其中，

当所述第一冗余存储单元为已占用时，所述第一使能信号为使能无效；当所述第一冗余存储单元为未占用时，所述第一使能信号为使能有效。

在其中一个实施例中，定义位于第n修复次序的所述冗余存储单元为第n冗余存储单元，n为大于1的正整数，所述选择单元还包括第n生成电路，所述第n生成电路用于生成第n使能信号；其中，

当修复次序位于所述第n冗余存储单元前的全部冗余存储修复单元中的至少一个为未占用时，所述第n使能信号为使能无效；当修复次序位于所述第n冗余存储单元前的全部冗余存储修复单元均为已占用，且所述第n冗余存储单元未占用时，所述第n使能信号为使能有效。