[实用新型]一种供电电路

权利要求书

1.一种供电电路，其特征在于，包括第一交流输入端、第二交流输入端、第一直流输出端和第二直流输出端，所述供电电路还包括：

无极性供电模块，与所述第一交流输入端、所述第二交流输入端、第一节点和所述第二直流输出端连接，所述无极性供电模块将所述第一交流输入端和所述第二交流输入端输入的交流电源进行转换，向所述第一节点和所述第二直流输出端提供直流电源；

保护模块，包括第一端、第二端和控制端，所述保护模块的第一端与所述第一节点连接，所述保护模块的第二端与所述第一直流输出端连接；

控制模块，所述控制模块的第一端与所述保护模块的第一端连接，所述控制模块的第二端与所述保护模块的第二端连接，所述控制模块的第三端与所述保护模块的控制端连接，所述控制模块用于根据所述保护模块的第一端和所述保护模块的第二端之间的电压控制流经所述保护模块的第一端和所述保护模块的第二端的电流。

2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述保护模块包括第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，在所述保护模块的第一端和所述保护模块的第二端之间的电压大于门限电压的情况下，所述控制模块控制流经所述保护模块的第一端和所述保护模块的第二端的电流减小。

4.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述保护模块包括第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管为PMOS晶体管，所述控制模块包括光电耦合器、第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述光电耦合器的第一引脚与所述保护模块的第一端连接，所述光电耦合器的第二引脚与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述保护模块的第二端连接，所述光电耦合器的第三引脚与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述保护模块的控制端连接，所述第一电阻的一端与所述保护模块的控制端连接，所述第一电阻的另一端与所述第二直流输出端连接，所述光电耦合器的第四引脚与所述保护模块的第一端连接。

5.根据权利要求4所述的供电电路，其特征在于，所述供电电路还包括第一电容，所述第一电容的第一极与所述保护模块的控制端连接，所述第一电容的第二极与所述第二直流输出端连接。

6.根据权利要求4所述的供电电路，其特征在于，所述控制模块还包括稳压二极管，所述稳压二极管的第一极与所述保护模块的控制端连接，所述稳压二极管的第二极与所述保护模块的第一端连接。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的供电电路，其特征在于，所述无极性供电模块包括：

第五MOS晶体管，所述第五MOS晶体管的第一端与所述第一交流输入端连接，所述第五MOS晶体管的第二端与所述第一节点连接，所述第五MOS晶体管的控制端与第一控制信号连接；

第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管的第一端与所述第二交流输入端连接，所述第二MOS晶体管的第二端与所述第一节点连接，所述第二MOS晶体管的控制端与第二控制信号连接；

第三MOS晶体管，所述第三MOS晶体管的第一端与所述第二直流输出端连接，所述第三MOS晶体管的第二端与所述第一交流输入端连接，所述第三MOS晶体管的控制端与第三控制信号连接；

第四MOS晶体管，所述第四MOS晶体管的第一端与所述第二直流输出端连接，所述第四MOS晶体管的第二端与所述第二交流输入端连接，所述第四MOS晶体管的控制端与第四控制信号连接。

8.根据权利要求7所述的供电电路，其特征在于，所述第五MOS晶体管和所述第二MOS晶体管均为PMOS晶体管，所述第三MOS晶体管和所述第四MOS晶体管均为NMOS晶体管。

9.根据权利要求8所述的供电电路，其特征在于，所述供电电路还包括反相器，所述第五MOS晶体管的控制端和所述第三MOS晶体管的控制端均与所述反相器的第一端连接，所述第二MOS晶体管的控制端和所述第四MOS晶体管的控制端均与所述反相器的第二端连接，所述反相器的第一端和所述反相器的第二端的信号相反。

10.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述供电电路还包括第二电容，所述第二电容包括第一极和第二极，所述第二电容的第一极与所述第一直流输出端连接，所述第二电容的第二极与所述第二直流输出端连接。