[实用新型]一种抗水解的LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种抗水解的LED芯片，包括抗水解衬底和发光结构，所述抗水解衬底包括基础衬底，所述基础衬底设有发光区和阻隔区，其中，所述阻隔区将所述发光区包围，所述阻隔区上设有阻隔结构，所述阻隔结构由抗水解绝缘材料制成，所述发光结构设置在发光区内且被阻隔结构包围，所述阻隔结构高于所述发光结构。本实用新型通过阻隔结构将发光结构包围，有效防止水汽侵蚀，增加LED芯片的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种抗水解的LED芯片

背景技术

参见图1，现有的LED芯片包括衬底10、发光结构和绝缘层30，所述发光结构包括设于衬底10上的N-GaN层21、设于N-GaN层21上的有源层22和N 电极25、设于有源层22上的P-GaN层23、设于P-GaN层23上的ITO层24、以及设于ITO层24上的P电极26，所述绝缘层30层覆盖发光结构的表面。

现有的LED芯片没有对N-GaN层进行蚀刻以露出衬底，未对外延层(N-GaN 层21、有源层22和P-GaN层23的侧壁进行保护，在LED芯片通电使用过程中，侧壁的N-GaN层21因封装所用封装胶气密性较差，环境中的水汽、杂质等物质仍会进入并附着在发光结构的侧壁上，在电场的作用下，发光结构的侧壁会被水解腐蚀，LED芯片失效。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种抗水解的LED芯片，通过阻隔结构将发光结构包围，有效防止水汽侵蚀，增加LED芯片的可靠性。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种抗水解LED芯片，包括抗水解衬底和发光结构，所述抗水解衬底包括基础衬底，所述基础衬底设有发光区和阻隔区，其中，所述阻隔区将所述发光区包围，所述阻隔区上设有阻隔结构，所述阻隔结构由抗水解绝缘材料制成，所述发光结构设置在发光区内且被阻隔结构包围，所述阻隔结构高于所述发光结构。

作为上述方案的改进，所述阻隔结构包括多条第一阻隔条和多条第二阻隔条，所述第一阻隔条和第二阻隔条相交形成多个阻隔结构，所述发光区设于所述阻隔结构内。

作为上述方案的改进，所述阻隔结构比发光结构高出100～500nm。

作为上述方案的改进，所述阻隔结构比发光结构高出200～300nm。

作为上述方案的改进，所述阻隔结构的材料选自Al₂O₃、SiO₂、SiNx和DLC 中的一种。

作为上述方案的改进，所述阻隔结构采用蒸镀或PECVD沈积的方法在衬底上形成。

本实用新型还提供了另一种抗水解的LED芯片，包括抗水解衬底和发光结构，所述抗水解衬底包括基础衬底、发光区和阻隔结构，其中，所述阻隔结构高于所述发光区并将所述发光区包围，所述阻隔结构的材料与基础衬底的材料一致，所述发光结构设置在发光区内且被阻隔结构包围，所述阻隔结构高于所述发光结构。

作为上述方案的改进，所述发光区沿着基础衬底的表面凹陷至基础衬底的内部。

作为上述方案的改进，所述发光区通过刻蚀衬底的方式形成。

作为上述方案的改进，所述阻隔结构比发光结构高出100～500nm。

实施本实用新型，具有如下有益效果：

本实用新型提供的一种抗水解LED芯片，在衬底上设置高于发光结构的阻隔结构来将发光结构包围住，不仅可以保护发光结构，防止水汽侵蚀，还可以增加发光结构的可靠性。

此外，本实用新型通过限定阻隔结构的高度，使得两者(形成高度较高的阻隔结构来保护发光结构，以及降低阻隔结构的高度以便于形成外延层和减少两者间的晶格缺陷)之间获得一个平衡，在保护发光结构的同时，提高生产效率和芯片的可靠性。