[实用新型]一种微电子工业园区综合污水集中处理系统

权利要求书

1.一种微电子工业园区综合污水集中处理系统，包括调节池、除氟反应池、污泥混凝池、磁混凝池、絮凝池、沉淀池、水解酸化池、厌氧池、MABR池、MBBR池、二沉池、气浮滤池、臭氧氧化池、消毒池，其特征在于：调节池的出水口与除氟反应池的进水口连通，除氟反应池的出水口与污泥混凝池的进水口连通，污泥混凝池的出水口与磁混凝池的进水口连通，磁混凝池的出水口与絮凝池的进水口连通，絮凝池的出水口与沉淀池的进水口连通，沉淀池的出水口与水解酸化池的进水口连通，水解酸化池的出水口与厌氧池的进水口连通，厌氧池的出水口与MABR池的进水口连通，MABR池的出水口与MBBR池的进水口连通，MBBR池的出水口与二沉池的进水口连通，二沉池的出水口与气浮滤池的进水口连通，气浮滤池的出水口与臭氧氧化池的进水口连通，臭氧氧化池的出水口与消毒池的进水口连通，消毒池的出水口连接外排管道。

2.根据权利要求1所述的一种微电子工业园区综合污水集中处理系统，其特征是：所述调节池、除氟反应池、污泥混凝池、磁混凝池、絮凝池内设置搅拌器。

3.根据权利要求1所述的一种微电子工业园区综合污水集中处理系统，其特征是：所述调节池连接有用于投加酸或碱的装置，所述除氟反应池连接有用于投加除氟剂的装置，所述污泥混凝池连接有用于投加混凝剂的装置，所述磁混凝池连接有用于投加磁粉的装置，所述絮凝池连接有用于投加絮凝剂的装置，所述MBBR池连接有用于投加碳源的装置。

4.根据权利要求1所述的一种微电子工业园区综合污水集中处理系统，其特征是：所述沉淀池与磁混凝池之间设置磁分离器，所述沉淀池内设置有刮吸泥机，沉淀池产生的沉淀污泥一部分回流至磁混凝池，其余部分通过磁分离器分离回收磁粉后排出系统，分离回收的磁粉回流至磁混凝池。

5.根据权利要求1所述的一种微电子工业园区综合污水集中处理系统，其特征是：所述MABR池内设置MABR膜组件、潜水推进器，所述MABR膜组件进气端设置有鼓风曝气机。

6.根据权利要求1所述的一种微电子工业园区综合污水集中处理系统，其特征是：所述MBBR池内设置MBBR填料、潜水推进器、曝气管道，所述曝气管道的进气端设置有曝气鼓风机，所述MBBR池末端与MABR池前端通过管道连通，将MBBR池末端的部分污泥混合液回流至MABR池前端。

7.根据权利要求1所述的一种微电子工业园区综合污水集中处理系统，其特征是：所述二沉池内设置刮吸泥机，二沉池产生的沉淀污泥第一部分回流至水解酸化池、第二部分回流至污泥混凝池，其余部分作为剩余污泥排出系统。