[实用新型]一种扩散炉的保温结构

说明书

一种扩散炉的保温结构，包括设置在扩散炉内部的内管以及设置在内管外侧的保温层和隔离层，所述保温层设置为内管外侧的第一层，隔离层设置于保温层的外侧；本实用新型中扩散炉的整个内壁设置环绕式分布的炉丝，并且炉丝之间保持设定距离，保证了扩散炉内部的温度分布均匀，炉丝全埋或半埋于保温层，有效保护了炉丝结构的稳定性，不会因为长时间的加热使用而产生脱落的现象，同时设置气流控制装置，有效控制气流输入的快慢，适应不同加工环节的加工需求，保证硅片加热的顺利进行。

技术领域

本实用新型涉及一种扩散炉，特别是涉及一种扩散炉的保温结构。

背景技术

半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业，半导体和光伏材料通常都需要经过加工处理才能够应用到产品上，CVD技术、扩散工艺或氧化工艺是现有的一些处理方式。

低压扩散炉，用于在低压氛围下，实现化学反应和分子沉积成膜，成膜以后可以通过加热进行高温扩散，从而实现半导体或光伏原材料表面掺杂的功能，通过这种方式可以进行半导体或光伏材料的表面加工。但是目前的低压扩散炉由于是柜式结构，通风性差，散热不好，导致柜内的温度会随着扩散炉的温度的上升而快速上升，而且不易降温，这会导致柜内温度过高，影响电气设备的正常工作。同时由于生产中自然散热的速度很慢，变相增加了生产所花费的时间，影响生产效率。

实用新型内容

本实用新型的目的是解决现有技术的不足，提供一种炉体的冷却结构，结构简单，使用方便。

一种扩散炉的保温结构，包括设置在扩散炉内部的内管以及设置在内管外侧的保温层和隔离层，所述保温层设置为内管外侧的第一层，隔离层设置于保温层的外侧。

进一步的，所述保温层内壁设置有炉丝，炉丝全埋于保温层或半埋于保温层。

进一步的，所述扩散炉整体设置为空心圆柱体；扩散炉的尾部设置炉尾门；所述炉尾门的中心设置通孔一。

进一步的，所述扩散炉的侧面设置长条形凸起；所述长条形凸起设置贯穿孔；所述贯穿孔内设置输送管。

进一步的，所述内管尾部呈半球形凸起，所述半球形凸起的直径与内管的直径一致，使内管形成尾部为半球形凸起的圆柱形，所述内管的内部中空形成空腔。

进一步的，所述半球形凸起中间设置通孔二，所述通孔二设置通风管，所述通风管贯穿通孔一。

进一步的，所述炉丝数量设置为一根或多根，炉丝可采用导电材料。

进一步的，所述炉丝呈环绕式分布，相邻的炉丝之间保持设定距离。

进一步的，所述炉尾门还设置有气流控制装置；所述气流控制装置的输入端连接输送管。

进一步的，所述扩散炉设置于主炉框架，扩散炉呈卧式放置；所述主炉框架采用多层结构。

采用本实用新型的有益效果在于：

扩散炉的整个内壁设置环绕式分布的炉丝，并且炉丝之间保持设定距离，而且仅有一根炉丝，保证了扩散炉内部的温度分布均匀。

炉丝全埋或半埋于保温层，有效保护了炉丝结构的稳定性，不会因为长时间的加热使用而产生脱落的现象。

设置气流控制装置，有效控制气流输入的快慢，适应不同加工环节的加工需求，保证硅片加热的顺利进行

附图说明

图1为本实用新型扩散炉结构图；

图2为本实用新型炉丝结构图；

图3为本实用新型水盘管结构图；

图4为本实用新型硅片加热示意图；

图5为本实用新型炉尾门结构图；