[实用新型]LED光源及LED灯

说明书

本实用新型涉及光源领域，特别是涉及到了一种LED光源及LED灯。LED光源包括晶片和覆盖在所述晶片上的荧光粉层，所述晶片为红光晶片，所述荧光粉层为蓝绿色荧光粉层；或者所述晶片包括红光晶片和蓝光晶片，所述荧光粉层为绿色荧光粉层。红光晶片为主发光源，裸晶亮度是蓝光晶片裸晶亮度的3~4倍，故红光晶片作为主发光源，明显比蓝光作为主发光源提高光效，混光混色后，蓝光的成分自然减少，显色性明显提高，更适合做低色温、高色坐标LED光源，进而降低了蓝光危害的发生。显色性可以轻松达到95以上，做到和卤素灯等效的全光谱、宽光谱LED光源。

技术领域

本实用新型涉及光源领域，特别是涉及到了一种LED光源及LED灯。

背景技术

随着半导体技术及工艺的飞速发展，各种颜色的LED灯源不断的快速发展，现如今，除了照明灯具外，背光领域，如电视背光、显示器背光、广告机背光、手机以及平板灯背光领域中，LED光源也得到了极为广泛地应用。自1996年，第一只白光LED光源出现开始，白光LED光源的发光效率不断提高，并且由于其自身的无污染、低功耗、高可靠、长寿命等优点，已经基本取代白炽灯（Clncandescent Lamp) 和荧光灯CFluorescent Lamp) 成为了第四代光源。

现有技术中，作为照明用的白光LED光源的形成方式主要是荧光粉与光晶片结合的方式，其中LED晶片为蓝光LED晶片，荧光粉采用黄色荧光粉或者黄绿色荧光粉及红色荧光粉。由于主发光光源是蓝光，依靠蓝光激发荧光粉，存在光效低、蓝光危害及光普窄等问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种LED光源，以解决现有LED光源存在的光效低、蓝光危害及光普窄的问题。

同时，本实用新型的目的还在于提供使用了上述LED光源的LED灯。

本实用新型的LED光源采用如下技术方案： LED光源，包括晶片和覆盖在所述晶片上的荧光粉层，所述晶片为红光晶片，所述荧光粉层为蓝绿色荧光粉层；或者所述晶片包括红光晶片和蓝光晶片，所述荧光粉层为绿色荧光粉层。

有益效果：红光晶片为主发光源，其裸晶亮度是蓝光晶片裸晶亮度的3~4倍，故红光晶片作为主发光源，明显比蓝光作为主发光源提高光效，混光混色后，蓝光的成分自然减少，显色性明显提高，更适合做低色温、高色坐标LED光源，进而降低了蓝光危害的发生。显色性可以轻松达到95以上，做到和卤素灯等效的全光谱、宽光谱LED光源。

更进一步地，当所述晶片为红光晶片时，所述红光晶片的波长为620-640nm。红光芯片波长620nm~~640nm红光颜色纯正，结构成分为AlGaInP/GaAs ，为高亮晶片。

更进一步地，所述蓝绿色荧光粉的波长为495，X：0.085；Y：0.477。蓝绿色荧光粉的波长为495，X：0.085；Y：0.477蓝绿色颜色纯正，氮氧化合物，结构稳定，适合做全光谱、宽光谱或者显色性大于95的LED光源，同时15um粒径，具有高亮度被激发效果。

更进一步地，当所述晶片包括红光晶片和蓝光晶片时，红光晶片的波长为620-640nm，蓝光晶片的波长为450-470nm。红光芯片波长620nm~~640nm红光颜色纯正，结构成分为AlGaInP/GaAs ，为高亮晶片；蓝光晶片波长450nm~~470nm蓝光颜色纯正，结构成分为GaInN/Sapphire，为高亮晶片。

更进一步地，所述绿色荧光粉的波长为525nm，X：0.279；Y：0.628。说明：绿色荧光粉的波长为525nm，X：0.279；Y：0.628绿色颜色纯正，高稳定性硅酸盐，15um粒径，具有高亮度被激发效果，同时具有高显色高稳定的特性。

本实用新型的LED灯采用如下技术方案：LED灯，包括灯罩及安装在灯罩内的LED光源，所述LED光源包括晶片和覆盖在所述晶片上的荧光粉层，所述晶片为红光晶片，所述荧光粉层为蓝绿色荧光粉层；或者所述晶片包括红光晶片和蓝光晶片，所述荧光粉层为绿色荧光粉层。