[实用新型]一种半导体成型分离模具

说明书

一种半导体成型分离模具，包括：下模板；下模孔，设置在所述下模板上，且贯穿所述下模板，数量为多个；第一上顶块，可移动设置在部分所述下模孔内，且可上顶到第一高度，所述第一高度为目标芯片位于所述第一上顶块上时的工作的高度；第二上顶块，可移动设置在部分所述下模孔内，且可上顶到第二高度，所述第二高度为目标芯片位于所述第一上顶块上时的工作的高度，所述第一高度高于所述第二高度。本实施例实施时，随着第一上顶块顶至第一高度，第二上顶块上顶将芯片顶至第二高度，由于第一高度高于第二高度，将芯片顶到不同的高度，进而可以将料管放置在不同的高度，降低了料管体积对芯片密度的影响，提高芯片切割效率。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体切割领域，尤其是涉及一种半导体成型分离模具。

背景技术

芯片在制作时位于芯片框架上进行制作，芯片制作完成之后，为了将芯片装到料管中，需要采用分离模具将目标芯片框架中的芯片进行分离。

目前模具在对芯片进行分离时，将芯片推至一定高度，后续通过推杆将芯片推至料管中。

发明人发现在相关技术中，由于料管与芯片高度对应，因此所有的料管处在同一高度，因此芯片被推到一定高度后，料管高度被限定，由于料管体积的限定，料管不能排列过密，导致芯片对推到一定高度的密度进行限定，导致芯片切割效率较低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服相关技术中芯片切割效率较低的技术问题，提供一种半导体成型分离模具。

为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型是通过以下技术方案实现：

一种半导体成型分离模具，包括：

下模板；

下模孔，设置在所述下模板上，且贯穿所述下模板，数量为多个；

第一上顶块，可移动设置在部分所述下模孔内，且可上顶到第一高度，所述第一高度为目标芯片位于所述第一上顶块上时的工作的高度；

第二上顶块，可移动设置在部分所述下模孔内，且可上顶到第二高度，所述第二高度为目标芯片位于所述第一上顶块上时的工作的高度，所述第一高度高于所述第二高度。

本实用新型所述的半导体成型分离模具，其中，包括：

第一模板，设置在所述第一高度处；

第一模孔，数量与所述第一上顶块数量相同，位置与所述第一上顶块相对，且贯穿所述第一模板；

第一滑槽，设置在所述第一模板上，且所述第一模孔设置在所述第一滑槽中，所述第一上顶块上顶到第一高度时，顶部与所述第一滑槽底部平齐。

本实用新型所述的半导体成型分离模具，其中，包括：

第二模板，设置在所述第二高度处；

第二模孔，数量与所述第一上顶块数量相同，贯穿所述第二模板，位置与所述第一上顶块相对，所述第一上顶块可向上穿过所述第二模孔；

第三模孔，数量与所述第二上顶块数量相同，贯穿所述第二模板，位置与所述第二上顶块相对；

第二滑槽，设置在所述第二模板上，且所述第三模孔设置在所述第二滑槽中，所述第二上顶块上顶到第二高度时，顶部与所述第二滑槽底部平齐。

本实用新型所述的半导体成型分离模具，其中，包括：

第一推动件，所述第一上顶块及所述第二上顶块下端分别设置在所述第一推动件上。

本实用新型所述的半导体成型分离模具，其中，所述第二模板设置在所述下模板上侧，与所述下模板间具有一预定距离，且与所述下模板相配合。