[实用新型]一种晶片研磨装置

说明书

本实用新型公开了一种晶片研磨装置，包括第一磨盘、第二磨盘、夹持在所述第一磨盘和所述第二磨盘之间的夹具、安装在所述夹具上的基座；所述基座具有相互背离设置的第一端面和第二端面，所述第一端面上设有用于晶片卡入的第一装夹凹槽，所述第二端面上设有用于晶片卡入的第二装夹凹槽，所述第一端面上的晶片与所述第一磨盘接触，所述第二端面上的晶片与所述第二磨盘接触。本实用新型可以提高晶片研磨质量和成品率，属于晶片加工的技术领域。

技术领域

本实用新型涉及晶片加工的技术领域，特别是涉及一种晶片研磨装置。

背景技术

随着工艺和技术的发展，晶片的用途越来越广泛，有些公司会提出一些超薄晶片的需求，厚度要求在80－150um左右，这就要求研磨工序所使用夹具厚度也相对较低，在常规加工中，夹具厚度低于200um的情况下，夹具在研磨过程中容易发生断齿和破损，造成该夹具内甚至整盘晶片发生碎片，极大的影响了晶片的成品率，研磨成品率仅50％左右。如果选用厚度较厚夹具，就会造成研磨前后晶片厚度变大，同时也需要增加后续抛光的加工掉量，这样会极大的降低超薄晶片加工效率，同时增加了原料和物料成本，造成超薄晶片生产成本变高。

实用新型内容

针对现有技术中存在的技术问题，本实用新型的目的是：提供一种晶片研磨装置，本实用新型可以提高晶片研磨质量和成品率。

为了达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种晶片研磨装置，包括第一磨盘、第二磨盘、夹持在所述第一磨盘和所述第二磨盘之间的夹具、安装在所述夹具上的基座；所述基座具有相互背离设置的第一端面和第二端面，所述第一端面上设有用于晶片卡入的第一装夹凹槽，所述第二端面上设有用于晶片卡入的第二装夹凹槽，所述第一端面上的晶片与所述第一磨盘接触，所述第二端面上的晶片与所述第二磨盘接触。

进一步的是：所述基座呈圆盘状，所述夹具上设有通孔，所述通孔沿着所述第一磨盘至所述第二磨盘的方向贯穿所述夹具，所述通孔的直径与所述基座的直径相等，所述基座安装在所述通孔内。

进一步的是：所述夹具的厚度与所述基座的厚度相等。

进一步的是：所述第一装夹凹槽的深度为100um－180um。进一步的是：所述第二装夹凹槽的深度为100um－180um。

进一步的是：所述第一装夹凹槽的底部到所述第二装夹凹槽底部之间的距离为100um－300um。

进一步的是：所述基座为聚氨酯制造的一体件。

进一步的是：所述第一端面和所述第一装夹凹槽的内壁的连接处设有第一倒圆角，所述第一端面和所述基座的圆周侧面的连接处设有第二倒圆角。

进一步的是：所述第二端面和所述第二装夹凹槽的内壁的连接处设有第三倒圆角，所述第二端面和所述基座的圆周侧面的连接处设有第四倒圆角。

本实用新型与现有技术相比，其有益效果在于：晶片研磨装置可以用于超薄晶片研磨工序加工，晶片研磨装置对夹具的厚度要求低，避免了加工超薄晶片时候对夹具造成破损，晶片研磨装置的基座可以同时夹持两个晶片，提高了超薄晶片研磨工序的成品率，成品率由50％提高到90％左右。

附图说明

图1是晶片研磨装置的结构示意图。

图2是基座的结构示意图。

图3是夹具的结构示意图。

图中，1为第一磨盘，2为第二磨盘，3为夹具，4为基座，5为晶片，31为通孔，41为第一端面，42为第二端面，43为第一装夹凹槽，44为第二装夹凹槽，45为第一倒圆角，46为第二倒圆角，47为第三倒圆角，48为第四倒圆角。

具体实施方式