[实用新型]射频开关电路、无线装置及移动终端有效
| 申请号: | 202022245528.9 | 申请日: | 2020-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN213243961U | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
| 发明(设计)人: | 李海著;奉靖皓;倪建兴 | 申请(专利权)人: | 锐石创芯(重庆)科技有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
| 代理公司: | 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司 44566 | 代理人: | 罗方华 |
| 地址: | 400700 重庆市*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 射频 开关电路 无线 装置 移动 终端 | ||
1.一种射频开关电路,其特征在于,所述射频开关电路包括多个串联连接的开关器件,在至少一个所述开关器件两端并联连接至少一个补偿电容;
所述补偿电容被配置为调整每个开关器件上的寄生电容,以使所述每个开关器件上的压降相同或者趋于相同。
2.如权利要求1所述的射频开关电路,其特征在于,所述射频开关电路包括n个串联连接的开关器件,在第2个开关器件至第n个开关器件中的每个开关器件两端并联连接一个补偿电容。
3.如权利要求2所述的射频开关电路,其特征在于,所述开关器件从第1个至第n个依序排列在所述射频开关电路的射频信号输出端和射频信号输入端之间,构成包括n+1个节点的串联结构,所述n个开关器件和n+1个节点构成n个寄生电容,所述第n+1个节点连接第n个寄生电容,连接在第n个开关器件两端的补偿电容被配置为调整所述第n个开关器件上产生的第n个寄生电容。
4.如权利要求3所述的射频开关电路,其特征在于,当每个开关器件上的所述寄生电容的电容值相同时,所述补偿电容的电容值与所述寄生电容的电容值满足以下预设关系式:
其中,Cn为并联在第n个开关器件上的补偿电容的电容值,C0为每个开关器件上产生的寄生电容的电容值。
5.如权利要求3所述的射频开关电路,其特征在于,当每个开关器件上的寄生电容的电容值不相同时,所述补偿电容的电容值与所述寄生电容的电容值满足以下预设关系式:
其中,Cn为并联在第n个开关器件上的补偿电容的电容值,Cpn-1为第n-1个开关器件上产生的寄生电容的电容值,Cn-1为并联在第n-1个开关器件上的补偿电容的电容值,其中,n≥2。
6.如权利要求3所述的射频开关电路,其特征在于,所述开关器件为场效应晶体管,n个场效应晶体管的源极和漏级依次连接;
第1个场效应晶体管的源极连接所述射频开关电路的射频信号输出端,第n个场效应晶体管的漏极连接所述射频开关电路的射频信号输入端。
7.如权利要求3所述的射频开关电路,其特征在于,所述开关器件为场效应晶体管,n个场效应晶体管的源极和漏级依次连接;
第1个场效应晶体管的源极连接所述射频开关电路的射频信号输入端,第n个场效应晶体管的漏极连接所述射频开关电路的射频信号输出端。
8.如权利要求6所述的射频开关电路,其特征在于,所述射频开关电路包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管以及第五场效应晶体管,所述第一场效应晶体管的源极连接所述射频信号输出端,所述第一场效应晶体管的漏极连接所述第二场效应晶体管的源极,所述第二场效应晶体管的漏极连接所述第三场效应晶体管的源极,所述第三场效应晶体管的漏极连接所述第四场效应晶体管的源极,所述第四场效应晶体管的漏极连接所述第五场效应晶体管的源极,所述第五场效应晶体管的漏极连接所述射频信号输入端。
9.一种无线装置,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的射频开关电路。
10.一种移动终端,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的射频开关电路。
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