[实用新型]一种晶体生长装置

说明书

本实用新型公开了一种晶体生长装置，包括炉体，炉体内设置有容腔，容腔内固设有坩埚，炉体、坩埚之间设置有导热层，容腔的底端和侧壁上均固设有加热器，炉体的底端设置有炉盖，炉盖的内壁上固设有气压传感器、温度传感器，气压传感器、温度传感器均连接处理器，处理器连接控制器，控制器固设在控制面板上，控制面板固设在炉盖的顶端外壁上；炉体的容腔内设置有伸缩杆，伸缩杆的顶端连接控制器，伸缩杆的底端设置有晶粒块。本实用新型提供一种晶体生长装置，这种晶体生长装置结构简单，操作方便，能够对晶体的生长环境实时监测，并进行调节，保证晶体在适宜的环境下生长，改善了晶体的品质和质量，提高了生产效率，降低了生产成本。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体来说，涉及一种晶体生长装置。

背景技术

晶体生长技术是利用物质(液态、固态、气态)的物理化学性质控制相变过程，获得具有一定结构、尺寸、形状和性能的晶体的技术。近年来，多种化合物半导体等电子材料、光电子材料、非线性光学材料、超导材料、铁电材料、金属单晶材料的发展，引出一系列理论问题，并对晶体生长技术提出了越来越复杂的要求，晶体生长原理和技术的研究显得日益重要，成为现代科学技术的重要分支。

目前，晶体生长已逐渐形成了一系列的科学理论，并被用于晶体生长过程的控制。但这一理论体系尚未完善，仍有大量的内容依赖于经验，晶体在生长过程中对环境要求十分严格，比如气压和温度，从而影响晶体的品质和质量，降低了生产效率，提高了生产成本。

实用新型内容

针对相关技术中的问题，本实用新型提出一种晶体生长装置，解决现有晶体在生长过程中，大量的内容依赖于经验，晶体的品质和质量不高，生产效率低，生产成本高的问题。

为了实现上述技术目的，本实用新型的技术方案是这样的：

设计一种晶体生长装置，包括炉体，所述炉体内设置有容腔，所述容腔内固设有坩埚，所述炉体、坩埚之间设置有导热层，所述容腔的底端和侧壁上均固设有加热器，所述炉体的底端设置有炉盖，所述炉盖的内壁上固设有气压传感器、温度传感器，所述气压传感器、温度传感器均连接处理器，所述处理器连接控制器，所述控制器固设在控制面板上，所述控制面板固设在所述炉盖的顶端外壁上；所述炉体的容腔内设置有伸缩杆，所述伸缩杆的顶端连接所述控制器，所述伸缩杆的底端设置有晶粒块，所述伸缩杆通过金属丝将所述晶粒块捆扎固定。

进一步，所述控制面板上固设有显示器，所述显示器连接所述处理器。

进一步，所述炉体固设在基座上，所述炉体、基座均由隔热材质制成。

进一步，所述导热层的材质为石墨。

进一步，所述炉盖上设置有若干个透气孔。

进一步，所述炉盖上设置有观测窗。

本实用新型的有益效果：这种晶体生长装置结构简单，操作方便，能够对晶体的生长环境实时监测，并进行调节，保证晶体在适宜的环境下生长，改善了晶体的品质和质量，提高了生产效率，降低了生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本实用新型实施例所述一种晶体生长装置的结构示意图；

图中：1、炉体；2、坩埚；3、加热器；4、导热层；5、基座；6、气压传感器；7、炉盖；8、控制器；9、控制面板；10、温度传感器；11、晶粒块；12、伸缩杆。

具体实施方式