[实用新型]光电二极管及TOF测距装置

权利要求书

1.一种光电二极管，其特征在于，包括衬底(11)、第一电极层(13)、第一电极(14)、第二电极层(16)、第二电极(17)和辅助电极(21)，所述第一电极层(13)设于所述衬底(11)上，所述第一电极(14)设于所述第一电极层(13)上，所述第二电极层(16)设于所述衬底(11)上，所述第二电极(17)设于所述第二电极层(16)上，所述辅助电极(21)接电位或悬空，以产生与所述第一电极层(13)和所述衬底(11)之间的电场方向相对抗的电场，或者对所述第一电极层(13)和所述衬底(11)之间的电场形成屏蔽。

2.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述衬底(11)为P型衬底，所述第一电极层(13)为N+型掺杂层，所述第一电极(14)和所述第二电极(17)为金属层，所述第二电极层(16)为P+型掺杂层，所述第一电极(14)接电位，所述第二电极(17)接地。

3.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述辅助电极(21)包括金属层或多晶硅层，且所述金属层或所述多晶硅层接电位或悬空。

4.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管还包括保护阱(19)，所述第一电极层(13)由所述保护阱(19)环绕包围，所述第二电极层(16)环绕于所述保护阱(19)外侧。

5.如权利要求4所述的光电二极管，其特征在于，所述保护阱(19)为N型掺杂区。

6.如权利要求4所述的光电二极管，其特征在于，所述第一电极层(13)、所述第二电极层(16)和所述保护阱(19)均内嵌于所述衬底(11)的顶部，所述保护阱(19)与所述第一电极层(13)有部分重叠，所述第二电极层(16)和所述保护阱(19)之间设有由所述衬底(11)填充的间隙。

7.如权利要求4所述的光电二极管，其特征在于，所述辅助电极(21)设于所述衬底(11)上方，且其底部和所述保护阱(19)、所述衬底(11)接触，以覆盖所述保护阱(19)和所述衬底(11)位于顶面的交界处。

8.如权利要求4所述的光电二极管，其特征在于，所述辅助电极(21)设于所述保护阱(19)和所述衬底(11)的上方，且与所述保护阱(19)和所述衬底(11)在垂直方向上间隔一定距离，所述辅助电极(21)在垂直方向上朝所述保护阱(19)和所述衬底(11)的投影分别与所述保护阱(19)和所述衬底(11)重叠，以覆盖所述保护阱(19)和所述衬底(11)位于顶面的交界处。

9.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述辅助电极(21)的底部分别与所述第一电极(14)、所述衬底(11)接触，以覆盖所述第一电极(14)和所述衬底(11)位于顶面的交界处。

10.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述辅助电极(21)设于所述第一电极(14)和所述衬底(11)的上方，且与所述第一电极(14)、所述衬底(11)在垂直方向上间隔一定距离，所述辅助电极(21)在垂直方向上朝所述第一电极(14)、所述衬底(11)的投影分别与所述第一电极(14)和所述衬底(11)重叠，以覆盖所述第一电极(14)和所述衬底(11)位于顶面的交界处。

11.如权利要求7或9所述的光电二极管，其特征在于，所述辅助电极(21)包括多晶硅层和氧化层(214)，所述氧化层(214)位于所述多晶硅层的底部，且所述氧化层(214)位于所述多晶硅层和所述衬底(11)之间。

12.一种TOF测距装置，其特征在于，包括如权利要求1-11任意一项所述的光电二极管。