[实用新型]培育钻石合成室温度控制装置有效

专利信息
申请号: 202022209371.4 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN212809015U 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 李仁德;梅春枝;陈雷;杨烨;王红军;朱云峰 申请(专利权)人: 中晶钻石有限公司
主分类号: G05D23/32 分类号: G05D23/32
代理公司: 宜昌市慧宜专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 42226 代理人: 姜荣华
地址: 443100 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 培育 钻石 合成 温度 控制 装置
【说明书】:

实用新型公开了培育钻石合成室温度控制装置,包括仓室,所述仓室内设置有若干的合成设备,所述合成设备内设置有第二温度传感器和第二加热管,所述仓室的一侧套设有电风扇,所述电风扇于仓室的侧壁固定连接,所述仓室的另一侧开设有若干的通孔,所述仓室的内腔顶部固定连接有电发热管,所述电发热管的一侧外设置有第一温度传感器,所述第一温度传感器于仓室的内腔固定连接,所述仓室的顶部内设置有中央控制器,所述第一温度传感器、电风扇、第二温度传感器和第二加热管均于中央控制器电路连接,本实用新型通过电发热管、第一温度传感器、中央控制器、第二温度传感器和第二加热管的配合使用来实现仓室和合成设备的温度控制。

技术领域

本实用新型涉及一种培育钻石技术领域,具体是培育钻石合成室温度控制装置。

背景技术

人造钻石是一种由直径10到30纳米的钻石结晶聚合而成的多结晶钻石。人造钻石的的分子结构并不是天然钻石的完全八面体结构而是一种复杂结构,从而会产生磷光现象,人造钻石通常采用高温高压的方式来模拟钻石的自然育成环境进行育成。

现有的育成设备没有对培育钻石合成室的温度进行控制,一旦温度出现过大的偏差时会容易导致钻石育成有不好的影响,为此,我们提出了培育钻石合成室温度控制装置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供培育钻石合成室温度控制装置,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:培育钻石合成室温度控制装置,包括仓室,所述仓室内设置有若干的合成设备,所述合成设备内设置有第二温度传感器和第二加热管,所述仓室的一侧套设有电风扇,所述电风扇于仓室的侧壁固定连接,所述仓室的另一侧开设有若干的通孔,所述仓室的内腔顶部固定连接有电发热管,所述电发热管的一侧外设置有第一温度传感器,所述第一温度传感器于仓室的内腔固定连接,所述仓室的顶部内设置有中央控制器,所述第一温度传感器、电风扇、第二温度传感器和第二加热管均于中央控制器电路连接。

作为本实用新型进一步的方案:所述仓室的顶部一侧固定连接有显示屏,所述显示屏于中央控制器电路连接。

作为本实用新型再进一步的方案:所述电风扇的一侧固定连接有第二隔尘网。

作为本实用新型再进一步的方案:所述通孔的一侧设置有第一隔尘网,所述第一隔尘网于仓室的内壁固定连接。

作为本实用新型再进一步的方案:所述合成设备内设置有隔热棉。

作为本实用新型再进一步的方案:所述仓室的一侧铰接有室门,所述室门的表面固定连接有把手。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

1、本实用新型通过电发热管、第一温度传感器、中央控制器、第二温度传感器和第二加热管的配合使用来实现仓室和合成设备的温度控制,避免由于温度出现过大的偏差时导致钻石育成有不好的影响;

2、本实用新型设置有第一隔尘网和第二隔尘网,第一隔尘网和第二隔尘网的作用是防止外界的灰尘进入仓室内,对仓室造成污染。

附图说明

图1为培育钻石合成室温度控制装置的结构示意图。

图2为培育钻石合成室温度控制装置的正视图。

图3为图1中A处的放大结构示意图。

图中所示:仓室1、电发热管2、通孔3、室门4、把手5、第一隔尘网6、隔热棉7、合成设备8、第二隔尘网9、电风扇10、第一温度传感器11、中央控制器12、显示屏13、第二温度传感器14、第二加热管15。

具体实施方式

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