[实用新型]一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构有效

专利信息
申请号: 202022203803.0 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN212303631U 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 潘远杰;周祖源;薛兴涛 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/3105
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 减少 临时 过程 气泡 形成 结构
【权利要求书】:

1.一种键合结构,其特征在于:结构至少包括:

焊盘结构,包括衬底、位于所述衬底中的金属填充的TSV深孔、位于所述衬底表面的重布线介质层、以及位于所述重布线介质层上的金属电极,所述重布线介质层表面经过等离子处理而具有粗化结构;

胶层,形成于所述重布线介质层上;

基板,贴附与所述胶层上。

2.根据权利要求1所述的键合结构,其特征在于:所述衬底为切去边角的衬底。

3.根据权利要求1所述的键合结构,其特征在于:所述金属填充包括铜、金、银填充中的一种;所述金属电极为铜-镍-金三层金属电极,所述重布线介质层的材质包括PI、环氧树脂、硅胶、BPO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃、含氟玻璃中的一种。

4.根据权利要求1所述的键合结构,其特征在于:所述胶层包括PI胶、PVB胶、EVA胶中的一种,所述基板包括玻璃基板、金属基板、半导体基板、聚合物基板、以及陶瓷基板中的一种。

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