[实用新型]一种气道冲洗治具有效

专利信息
申请号: 202022184081.9 申请日: 2020-09-29
公开(公告)号: CN212848328U 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 杨苏圣 申请(专利权)人: 湖州科秉电子科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 周孝林
地址: 313000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 冲洗
【说明书】:

本实用新型提供了一种气道冲洗治具,包括平台以及设置于所述平台上的通水治具,所述通水治具上设置有一容纳空间,将喷洒头放置于所述通水治具内后,向通水治具内通入超纯水,以对喷洒头内的气道进行冲洗,通过设置平台以及设置于该平台上的通水治具,将喷洒头部件放置于所述通水治具内后,向通水治具内通入超纯水,以对喷洒头内的气道进行冲洗,进而有效去除气道内的微尘粒子并有效控制其含量,降低生产成本,提高产品质量,解决了现有技术中存在的喷洒头气道无法清洗、需频繁报废更换的技术问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域,具体涉及一种气道冲洗治具。

背景技术

Producer机型属于半导体制造其中一环,主要用于干式电浆蚀刻机领域,广泛用于16nm以下制程。16nm制程于国内属于最先进制程领域,由于制程微缩化,制程要求精细,对于Producer机型中的喷洒头部件具有高洁净度要求。

申请号为CN201280026355.7的中国实用新型专利公开了用于电感耦合等离子体蚀刻反应器的气体分配喷洒头,处理腔室,在其中处理半导体衬底;衬底支撑件,在半导体衬底处理期间半导体衬底支撑在衬底支撑件上;以及天线,其能操作以在处理腔室中产生并保持等离子体。陶瓷喷洒头形成了腔室的介电窗,并且气体输送系统能操作以交替地供给蚀刻气体和沉积气体至喷洒头的稳压室并且在200毫秒内用沉积气体来更换稳压室中的蚀刻气体。

然而现有的喷洒头部件中的气道(尤其在气孔部分)会在使用过程中累积不纯物质,当不纯物质累积到一定程度后,会使生产不稳定性大增,此时使用者大多数都会选择报废更换为主要手段。

实用新型内容

针对以上问题,本实用新型提供了一种气道冲洗治具,通过设置平台以及设置于该平台上的通水治具,将喷洒头部件放置于所述通水治具内后,向通水治具内通入超纯水,以对喷洒头内的气道进行冲洗,进而有效去除气道内的微尘粒子并有效控制其含量,降低生产成本,提高产品质量,解决了现有技术中存在的喷洒头气道无法清洗、需频繁报废更换的技术问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

一种气道冲洗治具,包括平台以及设置于所述平台上的通水治具,所述通水治具上设置有一容纳空间,将喷洒头放置于所述通水治具内后,向通水治具内通入超纯水,以对喷洒头内的气道进行冲洗。

作为优选,还包括若干组进水管,所述通水治具的底面上开设有若干个通水孔,所述进水管对应从该通水治具的底部与所述通水孔相连通设置。

作为优选,所述通水治具的内底面上同心开设有一环槽,至少一个所述通水孔设置于所述环槽内。

作为优选,所述通水治具为圆盘形结构,若干个所述通水孔沿通水治具的径向方向设置。

作为优选,所述平台包括底座以及设置于所述底座上且用于承托所述通水治具的双层台。

作为优选,所述双层台包括下台面以及与所述下台面上下间隔设置的上台面,所述上台面的中心开设有与所述通水治具的外形尺寸相适配的安装槽,所述通水治具放置于所述下台面上并限位于所述安装槽内。

作为优选,所述下台面的中部沿长度方向开设有用于安装所述进水管的通槽。

作为优选,所述通水治具可承受3kg的水压。

作为优选,所述通水治具采用PP材质。

作为优选,所述喷洒头放置于所述容纳空间内时,喷洒头上具有薄石英的出气道一面朝上放置;所述喷洒头的进气道设置有用作超纯水进入管道的夹具,壁面注水时所述夹具松脱。

本实用新型的有益效果在于:

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