[实用新型]薄膜滤波器

权利要求书

1.一种薄膜滤波器，其特征在于，包括：

陶瓷基板；

多个谐振器，设置于所述陶瓷基板的顶表面上；

输入端和输出端，设置于所述陶瓷基板上，所述输入端和所述输出端均包括顶端和底端，所述输入端的顶端和底端电性连接，所述输出端的顶端和底端电性连接，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端分别与相应的谐振器电性连接；以及，

屏蔽罩，包围所述多个谐振器。

2.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板的相对介电常数为12～38。

3.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度为0.25mm～0.7mm。

4.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板具有两相对的第一边和两相对的第二边。

5.如权利要求4所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述多个谐振器相对于所述陶瓷基板的两相对的第一边的中心线对称设置，且所述输入端和所述输出端相对于所述陶瓷基板的两相对的第一边的中心线对称设置。

6.如权利要求4所述的薄膜滤波器，其特征在于，所有的所述谐振器垂直于所述陶瓷基板的第二边，且所有的所述谐振器之间相互平行。

7.如权利要求4所述的薄膜滤波器，其特征在于，相邻两个所述谐振器之间的间隙从所述陶瓷基板的第二边的两端到第二边的中间逐渐增大。

8.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述谐振器的长度为所述薄膜滤波器的中心频率所对应的波长的四分之一。

9.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述薄膜滤波器的工作频率为4.5GHz～6.5GHz。

10.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述谐振器的阶数为7阶。

11.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述谐振器组成交指型结构。

12.如权利要求4所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述输入端和所述输出端分别设置于所述陶瓷基板的两相对的第一边上，所述输入端的顶端和所述输出端的顶端设置于所述陶瓷基板的顶表面上，所述输入端的底端和所述输出端的底端设置于所述陶瓷基板的底表面上，且所述输入端的顶端和底端以及所述输出端的顶端和底端均通过第一导体层电性连接。

13.如权利要求12所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述第一导体层设置于所述陶瓷基板的两相对的第一边的侧面上的第一凹槽和第二凹槽中。

14.如权利要求13所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述第一凹槽和第二凹槽的形状为矩形或半圆形。

15.如权利要求1所述的薄膜滤波器，其特征在于，每个所述谐振器的形状为矩形，所述输入端的顶端和底端以及所述输出端的顶端和底端的形状均为月牙形。

16.如权利要求4所述的薄膜滤波器，其特征在于，所述陶瓷基板的底表面上设置有第二导体层，所述第二导体层接地。

17.如权利要求16所述的薄膜滤波器，其特征在于，每个所述谐振器的一端上均设置有至少一个第一通孔，所述第一通孔贯穿所述陶瓷基板，所述第一通孔的内壁上设置有第三导体层，以使得每个所述谐振器通过所述第三导体层与所述第二导体层电性连接。

18.如权利要求17所述的薄膜滤波器，其特征在于，相邻的两个所述谐振器上的所述第一通孔设置于所述谐振器的不同端。