[实用新型]一种用于硅电极氧化的治具有效
| 申请号： | 202022146482.5 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN213515079U | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 韩颖超;马志杰;余正飞;李长苏 | 申请（专利权）人： | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | F27D5/00 | 分类号： | F27D5/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 郑汝珍 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 电极 氧化 | ||
1.一种用于硅电极氧化的治具，其特征是，包括若干个上下堆叠的环形支撑盘，所述环形支撑盘的内侧设有若干个用于放置硅电极的支撑块，所述环形支撑盘上设有若干个贯通其内侧和外侧的气体交换窗，所述环形支撑盘的上端设有上卡接环，所述环形支撑盘的下端设有可以与所述上卡接环适配卡接的下卡接环。
2.根据权利要求1所述的一种用于硅电极氧化的治具，其特征是，所述支撑块的上侧面为斜面，其相对水平面的倾斜角度为15-40°。
3.根据权利要求1所述的一种用于硅电极氧化的治具，其特征是，所述环形支撑盘上所述支撑块的数量为3个，3个所述的支撑块周向均布在所述环形支撑盘的内侧。
4.根据权利要求1所述的一种用于硅电极氧化的治具，其特征是，所述气体交换窗包括开口朝上的上交换窗和开口朝下的下交换窗。
5.根据权利要求1所述的一种用于硅电极氧化的治具，其特征是，所述若干个所述的气体交换窗周向均布在所述环形支撑盘的内侧。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的一种用于硅电极氧化的治具，其特征是，所述若干个环形支撑盘的底部还安装有环形底盘，所述环形底盘的上端设有所述上卡接环，所述环形底盘的下端设有支脚。
7.根据权利要求1-5中任意一项所述的一种用于硅电极氧化的治具，其特征是，所述治具的表面粗糙度小于1.6。
8.根据权利要求1-5中任意一项所述的一种用于硅电极氧化的治具，其特征是，所述环形支撑盘的材料为石英。
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