[实用新型]一种碳化硅颗粒分选装置有效
| 申请号: | 202022088981.3 | 申请日: | 2020-09-22 |
| 公开(公告)号: | CN213194459U | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号: | B07B1/20 | 分类号: | B07B1/20;B07B1/55 |
| 代理公司: | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人: | 陈润明 |
| 地址: | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 碳化硅 颗粒 分选 装置 | ||
本实用新型公开了一种碳化硅颗粒分选装置,包括箱体,所述箱体一侧顶部固定连接有进料管,所述箱体内部顶端固定设有筛选机构;所述筛选机构包括过滤桶,所述过滤桶固定连接于箱体内部顶端,所述进料管一端延伸入过滤桶内部,所述过滤桶内部设有中心轴,所述中心轴两端均通过轴承与过滤桶内壁活动连接。本实用新型通通过多个橡胶条的旋转可以带动物料被搅动至过滤桶内部的每一处,从而使过滤桶各个地方均可以进行分选,增大过滤桶的使用面积,从而增大了分选的效率,从而解决了传统分选缺陷,避免了底部物料过大影响上部物料分选的情况发生,并且由于橡胶条的不断搅动进一步的增大了筛选的效率。
技术领域
本实用新型碳化硅颗粒分选技术领域,特别涉及一种碳化硅颗粒分选装置。
背景技术
目前PVT法生长是SiC晶体生长的最主流方法,本项目亦采用自主研发PVT 法技术生长SiC晶体,基本工艺是将籽晶置于坩埚的顶部,粉料放于坩埚的底部,在一定的气压条件下,对坩埚进行加热,使得坩埚内达到合适的温度和温度梯度,粉料在高温下发生分解并生成各气相组分,这些气相组分在温度梯度的作用下被输运到籽晶表面并淀积生长,获得碳化硅晶体。
在获得碳化硅晶体的过程中,需要对碳化硅颗粒进行分选,传统的分选装置均存在第一层分选时物料量过大,而引起底部被大的物料堵塞影响上部物料的分选,不能快速全面的分选,导致效率较低。
因此,基于上述技术问题,本领域的技术人员有必要研发一种碳化硅颗粒分选装置。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种碳化硅颗粒分选装置,以解决第一层分选时物料量过大,而引起底部被大的物料堵塞影响上部物料的分选,导致效率较低的问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案为:
一种碳化硅颗粒分选装置,包括箱体,所述箱体一侧顶部固定连接有进料管,所述箱体内部顶端固定设有筛选机构;
所述筛选机构包括过滤桶,所述过滤桶固定连接于箱体内部顶端,所述进料管一端延伸入过滤桶内部,所述过滤桶内部设有中心轴,所述中心轴两端均通过轴承与过滤桶内壁活动连接,所述中心轴外侧固定连接有多个橡胶条,多个所述橡胶条均设于过滤桶内部,多个所述橡胶条均为螺旋状设置,所述中心轴一端固定连接有转动轴,所述转动轴一端延伸出箱体一侧,所述过滤桶另一端固定连接有导料管,所述导料管一端延伸出箱体一侧,其中两个橡胶条之间设有辅助组件,所述辅助组件设于过滤桶内部。
优选的,所述辅助组件包括壳体,所述壳体设于其中两个橡胶条之间并且与中心轴外侧固定连接,所述壳体内部固定连接有喷管。
优选的,所述箱体顶部一侧固定连接有电机,所述中心轴的输出轴与转动轴外侧均固定连接有带轮,两个所述带轮外侧套设有同步带。
优选的,所述箱体顶部另一侧固定连接有风机,所述风机的出气管固定连接有输气管,所述输气管一端也是入中心轴内部并且与喷管相连通,所述输气管通过密封轴承与中心轴活动连接。
优选的,所述过滤桶底部设有多个过滤板,多个所述过滤板固定连接于箱体内部并且均为倾斜设置。
优选的,两个所述过滤板一端均设有通孔,两个所述通孔均开设于箱体内部一侧。
优选的,所述箱体一侧固定连接有收集箱,所述收集箱一侧和箱体一侧底部均固定连接有出料管,多个所述出料管外侧均固定设有开关阀。
采用上述技术方案,具有以下有益效果:
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