[实用新型]一种沟槽型MOSFET器件

权利要求书

1.一种沟槽型MOSFET器件，从下到上依次包括漏极、n+衬底、n+缓冲层、n-漂移层、CSL层、p+埋层、p阱、p+区和n+区、栅介质、多晶硅栅、栅源隔离介质、源电极；其特征在于，所述器件的有源区有两类不同结构的原胞组成，其中一类原胞为MOSFET导电原胞A；另一类原胞为对沟槽栅结构进行电场屏蔽的原胞B，原胞B中p+埋层通过其上方的p+区与源极电联通；在平行于纸面方向，同一类原胞左右并联，在垂直于纸面的纵深方向，两类原胞交替排列，形成导电与屏蔽区域。

2.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述原胞A和所述原胞B的平行于纸面的截面中，台面上只有n+区或p+区。

3.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述栅源隔离介质在沟槽内，台面上没有栅源隔离介质。

4.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述p+埋层比其上的所述p+区的纵深方向的尺寸大。

5.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述CSL层的掺杂浓度大于等于所述n-漂移层。

6.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽型MOSFET器件的沟槽深度大于所述p阱的深度，但小于所述CSL层的深度。