[实用新型]一种SiC IGBT器件有效
| 申请号： | 202022074292.7 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN213459736U | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江 | 申请（专利权）人： | 芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/739;H01L21/82;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 241002 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic igbt 器件 | ||
1.一种SiC IGBT器件，其从下至上依次为集电极、P+层、N+层、N-电阻层、场终止层、N-漂移层、N载流子储存层、P基区、N型JFET区、欧姆接触、栅极、肖特基接触和发射极，其特征在于：
器件背面N+层与P+层之间形成交替设置的N+区与P+区；
器件正面形成MPS肖特基二极管结构；
器件在进行续流工作时，MPS肖特基二极管结构的电流将通过背面的N+区形成导电通路，以集成续流二极管。
2.根据权利要求1所述的SiC IGBT器件，其特征在于，在器件有源区的原胞结构中，P阱区中间形成高掺杂的P+区和N+区，在高掺杂的P+区和N+区上形成欧姆接触；相邻P阱区中间设置有两个高掺杂的P+区，多晶硅栅极下方的P阱区和P+区之间的区域为MOSFET导电的JFET区；所述两个P+区之间的N型区形成肖特基接触；高掺杂的P+区能提供并联的pn二极管，从而形成MPS肖特基二极管结构；所述欧姆接触和肖特基接触都与源极金属连接。
3.根据权利要求1所述的SiC IGBT器件，其特征在于，在器件有源区的原胞结构中，栅下方的P阱区之间的N型区形成MOSFET导电的JFET区，N+区、P+区分别在P阱内；在P+区中间的N型区表面形成肖特基接触，在N+区与P+区表面形成欧姆接触，从而形成MPS肖特基二极管结构；所述欧姆接触和肖特基接触都与源极金属连接。
4.根据权利要求1所述的SiC IGBT器件，其特征在于，在器件背面N+层与P+层中，N+区与P+区交替设置；其中的P+区分为第一P+区、第二P+区；所述第一P+区的面积大于所述第二P+区的面积，所述第一P+区的面积大于N+区的面积，所述第一P+区与所述第二P+区联通设置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
