[实用新型]一种单体多模陶瓷滤波器有效
| 申请号: | 202022069314.0 | 申请日: | 2020-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN212303855U | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
| 发明(设计)人: | 马才兵;麦艳红;杨继聪 | 申请(专利权)人: | 广东国华新材料科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨小红 |
| 地址: | 526020 广东省肇庆市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 单体 陶瓷滤波器 | ||
1.一种单体多模陶瓷滤波器,其特征在于,包括:滤波器本体;
所述滤波器本体设有第一单模谐振器、第一多模谐振器、第二单模谐振器、第三单模谐振器、第二多模谐振器与第四单模谐振器,所述滤波器本体的表面涂覆有金属导电层;
所述第一单模谐振器与所述第一多模谐振器之间相靠近的表面通过第一耦合结构连接,所述第一单模谐振器、所述第一多模谐振器与所述第一耦合结构一体成型设置;
所述第一多模谐振器与所述第二单模谐振器之间相靠近的表面通过第二耦合结构连接,所述第一多模谐振器、所述第二单模谐振器与所述第二耦合结构一体成型设置;
所述第二单模谐振器与所述第三单模谐振器之间相靠近的表面通过第三耦合结构连接,所述第二单模谐振器、所述第三单模谐振器与所述第三耦合结构一体成型设置;
所述第三单模谐振器与所述第二多模谐振器之间相靠近的表面通过第四耦合结构连接,所述第三单模谐振器、所述第二多模谐振器与所述第四耦合结构一体成型设置;
所述第二多模谐振器与所述第四单模谐振器之间相靠近的表面通过第五耦合结构连接,所述第二多模谐振器、所述第四单模谐振器与所述第五耦合结构一体成型设置;
所述第一耦合结构、所述第二耦合结构、所述第三耦合结构、所述第四耦合结构与所述第五耦合结构均为通过裁剪形成的结构。
2.根据权利要求1所述的单体多模陶瓷滤波器,其特征在于,所述第一单模谐振器远离所述第一耦合结构的端面设有第一接头。
3.根据权利要求2所述的单体多模陶瓷滤波器,其特征在于,所述第四单模谐振器远离所述第五耦合结构的端面设有第二接头。
4.根据权利要求3所述的单体多模陶瓷滤波器,其特征在于,所述第一接头和所述第二接头均为盲孔,所述第一接头和所述第二接头均外接同轴接头,用于导入或导出信号。
5.根据权利要求1所述的单体多模陶瓷滤波器,其特征在于,所述第一多模谐振器的体积大于所述第一单模谐振器、所述第二单模谐振器、所述第三单模谐振器和所述第四单模谐振器中任一个谐振器的体积;
所述第二多模谐振器的体积大于所述第一单模谐振器、所述第二单模谐振器、所述第三单模谐振器和所述第四单模谐振器中任一个谐振器的体积。
6.根据权利要求1所述的单体多模陶瓷滤波器,其特征在于,所述第一耦合结构为方形结构或矩形结构,所述第一耦合结构的截面尺寸小于所述滤波器本体截面尺寸的三分之一。
7.根据权利要求1所述的单体多模陶瓷滤波器,其特征在于,所述第二耦合结构包括第一矩形体、第二矩形体与第三矩形体,所述第一矩形体连接于所述第一多模谐振器和所述第二单模谐振器上端对应的一棱角之间,所述第二矩形体连接于所述第一多模谐振器和所述第二单模谐振器上端对应的另一棱角之间,所述第三矩形体连接于所述第一多模谐振器和所述第二单模谐振器下端对应的棱边之间;
所述第四耦合结构包括第四矩形体、第五矩形体与第六矩形体,所述第四矩形体连接于所述第三单模谐振器和所述第二多模谐振器上端对应的一棱角之间,所述第五矩形体连接于所述第三单模谐振器和所述第二多模谐振器上端对应的另一棱角之间,所述第六矩形体连接于所述第三单模谐振器和所述第二多模谐振器下端对应的棱边之间;
所述第一矩形体、所述第二矩形体、所述第三矩形体、所述第四矩形体、所述第五矩形体与所述第六矩形体的截面尺寸均小于所述滤波器本体截面尺寸的三分之一。
8.根据权利要求1或7所述的单体多模陶瓷滤波器,其特征在于,所述第三耦合结构包括第七矩形体、第八矩形体与第九矩形体,所述第七矩形体、所述第八矩形体与所述第九矩形体分别连接于所述第二单模谐振器和所述第三单模谐振器对应的任意三个棱角之间;
所述第七矩形体、所述第八矩形体与所述第九矩形体的截面尺寸均小于所述滤波器本体截面尺寸的三分之一。
9.根据权利要求1所述的单体多模陶瓷滤波器,其特征在于,所述第五耦合结构为十字型结构,所述第五耦合结构的截面尺寸小于所述滤波器本体截面尺寸的三分之一。
10.根据权利要求1所述的单体多模陶瓷滤波器,其特征在于,其特征在于,所述金属导电层为银和铜中的一种或两种组合。
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