[实用新型]一种全桥逆变驱动电路

说明书

本实用新型提出了一种全桥逆变驱动电路，通过设置四组均流电路和两组吸收电路，从两方面提高场效应管的可靠性，一方面，通过四组均流电路并联均流，实现第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管上负载电流相等，使得场效应管输出电流更稳定，防止场效应管二次击穿，提高场效应管的可靠性；另一方面，通过两组吸收电路，吸收场效应管由于输出电流不稳定产生的浪涌电流和尖峰电压，防止场效应管二次击穿，与四组均流电路相配合，进一步使场效应管输出电流更稳定，提高场效应管的可靠性；通过设置滤波电路，滤除每个场效应管输出信号中的存在的高频谐波信号，使场效应管输出信号更稳定，提高场效应管的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及逆变器技术领域，尤其涉及一种全桥逆变驱动电路。

背景技术

逆变器是一种把直流变交流的电路结构设备，全桥逆变驱动电路和半桥逆变驱动电路是内部驱动电路的结构形式，全桥逆变驱动电路是由四个驱动管轮流工作于正弦波的各个波段，半桥逆变驱动电路是两个驱动管轮流工作于正弦波的各个波段，相对半桥逆变驱动电路而言，全桥逆变驱动电路的开关电流减小了一半，因而在大功率场合得到了广泛应用。在大功率场合，输入全桥逆变驱动电路的电流是高压直流，为满足大功率电路的设计需求，全桥逆变驱动电路通常采用场效应管作为电路的驱动管，在电路中，由于场效应管参数不一致、驱动信号不同步和电路布局不对称等因素造成流过并联场效应管的电流分配不均衡。电流分配不均衡导致部分场效应管工作时过电流不足，部分场效应管过载，造成场效应管输出的电流不稳定，使场效应管超过安全工作区，甚至造成场效应管二次击穿，大大降低场效应管的可靠性。

因此，为了解决上述问题，本实用新型提出了一种全桥逆变驱动电路，通过在全桥逆变驱动电路中设置均流电路和吸收电路，使场效应管输出的电流更加稳定，防止场效应管二次击穿，场效应管的可靠性得到有效提高。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提出了一种全桥逆变驱动电路，通过在全桥逆变驱动电路中设置均流电路和吸收电路，使场效应管输出的电流更加稳定，防止场效应管二次击穿，场效应管的可靠性得到有效提高。

本实用新型的技术方案是这样实现的：本实用新型提供了一种全桥逆变驱动电路，其包括CPU芯片、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管，还包括第一吸收电路、第二吸收电路、第一均流电路、第二均流电路、第三均流电路和第四均流电路；

CPU芯片的SPWM1输出端口通过第一均流电路与第一场效应管的栅极电性连接，CPU芯片的SPWM2输出端口通过第二均流电路与第二场效应管的栅极电性连接，CPU芯片的SPWM3输出端口通过第三均流电路与第三场效应管的栅极电性连接，CPU芯片的SPWM4输出端口通过第四均流电路与第四场效应管的栅极电性连接；

第一场效应管和第三场效应管的漏极均与高压直流电源电性连接，第一场效应管的源极分别与第二场效应管的漏极和第四场效应管的漏极电性连接，第二场效应管的源极和第四场效应管的源极均接地，第三场效应管的源极与第二场效应管的漏极电性连接，第一场效应管的源极和第二场效应管的漏极的中间连接点输出正向方波信号，第三场效应管的源极和第四场效应管的漏极的中间连接点输出反向方波信号，第一吸收电路并联在第一场效应管的漏极和第二场效应管的源极之间，第二吸收电路并联在第三场效应管的漏极和第四场效应管的源极之间。

在以上技术方案的基础上，优选的，第一均流电路包括二极管D33、电阻 R76和电阻R79；

CPU芯片的SPWM1输出端口分别与电阻R76的一端和二极管D33的负极电性连接，电阻R76的另一端和二极管D33的正极分别与第一场效应管的栅极电性连接，电阻R79的一端与电阻R76的另一端电性连接，电阻R79的另一端接地。

在以上技术方案的基础上，优选的，第一吸收电路包括二极管D36、电阻 R85和电容C48；