[实用新型]一种硅片链式扩散氧化两用设备有效
| 申请号: | 202022067146.1 | 申请日: | 2020-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN212725343U | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
| 发明(设计)人: | 崔水炜;程建;万肇勇;吴章平 | 申请(专利权)人: | 苏州昊建自动化系统有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;F27B17/00 |
| 代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 王春丽 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市苏州相*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 链式 扩散 氧化 两用 设备 | ||
1.一种硅片链式扩散氧化两用设备,其特征在于,包括形成窑炉通道的窑炉主体(2),窑炉通道内并排设置有多个横跨窑炉通道宽度方向的陶瓷棍棒(3),窑炉主体(2)入口端的陶瓷棍棒(3)上方设置有磷酸喷涂设备(1),从入口端到出口端依次将窑炉主体(2)设置为可变功能区(4)、高温扩散氧化区(5)和水循环冷却区(6),在可变功能区(4)、高温扩散氧化区(5)、水循环冷却区(6)分别连通气体输送设备(8),水循环冷却区(6)还连通水输送设备(9)。
2.根据权利要求1所述的一种硅片链式扩散氧化两用设备,其特征在于,窑炉主体(2)顶部连通排气风机(7)。
3.根据权利要求2所述的一种硅片链式扩散氧化两用设备,其特征在于,排气风机(7)连通在窑炉主体(2)的可变功能区(4)和高温扩散氧化区(5)顶部。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的一种硅片链式扩散氧化两用设备,其特征在于,所述两用设备总长8.1m,炉内工作宽度为2170mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





