[实用新型]化学机械研磨抛光机台

说明书

一种化学机械研磨抛光机台，涉及半导体技术领域，该化学机械研磨抛光机台包括机台本体和盖板，机台本体具有一带有开口的腔室，开口的边缘设置有密封槽，盖板的边缘设置有密封圈，盖板盖合在开口上并覆盖密封槽，密封圈压合在密封槽的底壁和盖板之间，以使盖板和机台密封连接，盖板上还设置有抽气结构，抽气结构与密封槽连通，用于对密封槽抽气，以防止密封槽内的气体泄漏到外部。相较于现有技术，本实用新型可通过抽气结构的抽气动作将泄漏气体从密封槽中抽走，防止腔室内部的气体由密封槽泄漏到外部，防止腔室内部气体大量外泄，有效防止AMC扩散，并提高了整个装置的安全可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种化学机械研磨抛光机台。

背景技术

随着半导体工业的飞速发展，电子器件尺寸缩小，同时要求晶片表面平整度达到纳米级。传统的研磨技术，仅仅能够实现晶片的局部平坦化，但是当最小特征尺寸达到0.25μm以下时，需要进行全局平坦化，而在半导体领域，通常是利用化学机械研磨抛光技术(CMP，chemical mechanical polish)来实现的，CMP机台的腔室上通常设置有一盖板，盖板通过橡胶圈密封盖合在机台上，以防止腔室内部的气体外泄。

现有技术中，CMP机台常常会因为盖板橡胶圈的老化造成密合不良，以至于腔室内部气体向外溢散，而造成气体性分子污染物(AMC)扩散，在芯片厂，AMC过高会影响半导体芯片良率，进而影响生产。此外，室内部气体常常包含对人体有害的气体，气体外泄也会对无尘车间内的工作人员造成伤害。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种化学机械研磨抛光机台，其能够防止腔室内部气体大量外泄，有效防止AMC扩散，并提高了其安全可靠性。

本实用新型的实施例是这样实现的：

第一方面，本实用新型实施例提供一种化学机械研磨抛光机台，包括机台本体和盖板，所述机台本体具有一带有开口的腔室，所述开口的边缘设置有密封槽，所述盖板的边缘设置有密封圈，所述盖板盖合在所述开口上并覆盖所述密封槽，所述密封圈压合在所述密封槽的底壁和所述盖板之间，以使所述盖板和所述机台密封连接，所述盖板上还设置有抽气结构，所述抽气结构与所述密封槽连通，用于对所述密封槽抽气，以防止所述密封槽内的气体泄漏到外部。

在可选的实施方式中，所述抽气结构包括抽气管和快速接头，所述盖板上开设有与所述密封槽连通的抽气孔，所述快速接头与所述抽气孔连通，所述抽气管与所述快速接头连接，用于通过所述快速接头将所述密封槽中的气体抽出。

在可选的实施方式中，所述抽气结构还包括抽气泵，所述抽气泵与所述抽气管连接。

在可选的实施方式中，所述抽气孔开设在所述盖板的外侧表面，所述盖板具有相对的内侧表面和外侧表面，所述密封圈设置在所述内侧表面，所述抽气孔开设在所述外侧表面，所述内侧表面开设有多个均压孔，且所述盖板内部设置有均压环腔，所述均压环腔位于所述内侧表面和所述外侧表面之间，多个所述均压孔与所述均压环腔连通，所述抽气孔与所述均压环腔连通。

在可选的实施方式中，所述均压孔的孔径小于所述抽气孔的孔径。

在可选的实施方式中，多个所述均压孔开设在所述密封圈外周缘的所述盖板上。

在可选的实施方式中，所述抽气孔为多个，每个所述抽气孔上设置有所述快速接头，所述抽气管包括抽气主管和多个抽气分管，多个所述抽气分管一一对应地设置与多个快速接头连接，所述抽气主管与多个所述抽气分管连接。

在可选的实施方式中，所述快速接头具有相对的插拔端和连接端，所述插拔端包覆有密封胶层，并用于过盈装配在所述抽气孔中，所述连接端与所述抽气管连接。

在可选的实施方式中，所述快速接头的外周面还设置有止挡环，所述止挡环位于所述插拔端和所述连接端之间。

在可选的实施方式中，所述快速接头为单向接头。