[实用新型]安瓿瓶管路结构有效
| 申请号： | 202022020331.5 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN213447295U | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 张云;牛群;吴志新;张欣;刘涛 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 安瓿 管路 结构 | ||
1.一种安瓿瓶管路结构，其用于四乙氧基硅烷机台，其特征在于，包括：
第一管路第一端连接安瓿瓶入口，第二端连接反应源，第二阀设置在安瓿瓶入口处的第一管路上，第一阀设置在反应源口的第一管路上；
第二管路第一端在第一管路的第一阀和第二阀之间，第二端连接在第三管路的第三阀和第三管路第二端之间，第四阀设置第二管路上；
第三管路第一端连接安瓿瓶出口，第二端连接在第四管路上第七阀和第八阀之间；
第四管路第一端连接脱气装置入口，第二端连接在第五管路上第九阀和第十阀之间；
第五管路第一端连接氦气源，第二端连接真空源；
第六管路第一端连接氦气源，第二端连接真空源，第五阀设置在氦气源一侧的第六管路上，第六阀设置在真空源一侧的第六管路上；
第七管路第一端连接在第五阀和第六阀之间的第六管路上，第二端连接安瓿瓶体，检测仪安装在第七管路第一端和第十一阀之间，第十一阀设置在安瓿瓶体一侧的第七管路上；
第八管路一端连接真空源，第二端连接脱气装置；
脱气装置出口连接液体流量控制器。
2.如权利要求1所述的安瓿瓶管路结构，其特征在于：检测仪是压力表，其用于检测安瓿瓶压力。
3.如权利要求1所述的安瓿瓶管路结构，其特征在于：第十一阀是气动阀。
4.如权利要求1所述的安瓿瓶管路结构，其特征在于：第一管路是反应源液体加注管路。
5.如权利要求1所述的安瓿瓶管路结构，其特征在于：第七管路是真空管路。
6.如权利要求1所述的安瓿瓶管路结构，其特征在于：第六阀和真空源之间的第六管路是真空管路。
7.如权利要求1-6任意一项所述的安瓿瓶管路结构，其特征在于：其能用于45nm或40nm工艺的四乙氧基硅烷机台。
8.如权利要求1-6任意一项所述的安瓿瓶管路结构，其特征在于：其能用于介质化学气相沉积工艺的四乙氧基硅烷机台。
9.如权利要求1-6任意一项所述的安瓿瓶管路结构，其特征在于：其能用于LAM公司的Vector TEOS机台设备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022020331.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
