[实用新型]一种新型一体式斜槽硅舟有效
申请号: | 202022005734.2 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN213519899U | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 范明明;韩颖超;李长苏 | 申请(专利权)人: | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 郑汝珍 |
地址: | 310051 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 体式 斜槽 | ||
1.一种新型一体式斜槽硅舟,其特征在于,包括硅舟基体和设在硅舟基体上的沟齿槽,硅舟基体包括底板和与底板相连的侧板,侧板包括对称布置在底板两侧的第一侧板和第二侧板,侧板远离底板的一端设有限位件,侧板靠近底板的一端设有支撑件,限位件和支撑件均位于侧板内侧,沟齿槽包括限位沟齿槽和支撑沟齿槽,若干个限位沟齿槽沿限位件的长度方向间隔布置,若干个支撑沟齿槽沿支撑件的长度方向间隔布置,朝同一方向倾斜的限位沟齿槽和支撑沟齿槽配合形成支撑槽,沟齿槽的截面呈“Y”型,沟齿槽沿其槽深方向包括放置段和承载段,放置段的截面呈喇叭状,放置段沿侧板的厚度方向包括大端和小端,小端与承载段连通。
2.根据权利要求1所述一种新型一体式斜槽硅舟,其特征在于,若干个沟齿槽沿侧板的长度方向等间隔排布,沟齿槽的对称中心线与侧板的法线之间的夹角为α。
3.根据权利要求1所述一种新型一体式斜槽硅舟,其特征在于,底板远离侧板的端面上设有支脚,支脚上设有定位槽,支脚包括第一支脚和第二支脚,第一支脚、第二支脚的对称面与第一侧板、第二侧板的对称面重合。
4.根据权利要求1或2或3所述一种新型一体式斜槽硅舟,其特征在于,侧板上设有镂空窗口,镂空窗口位于限位件与支撑件之间。
5.根据权利要求1或2或3所述一种新型一体式斜槽硅舟,其特征在于,所述硅舟的制备材料为高纯度的直拉法多晶硅。
6.根据权利要求1或2或3所述一种新型一体式斜槽硅舟,其特征在于,限位件、侧板、支撑件和底板为一体成型结构。
7.根据权利要求2所述一种新型一体式斜槽硅舟,其特征在于,所述α为3°,所述放置段的开口角度为60°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造