[实用新型]一种静电装置及其所在的基片处理系统

说明书

本实用新型公开一种静电装置及其所在的基片处理系统，所述基片处理系统包含等离子体处理装置、传输腔及静电装置，所述传输腔内有传输机械手，所述静电装置用于产生吸附静电以吸附所述等离子体处理装置中的真空反应腔中的边缘环，并通过所述传输机械手将所述边缘环移入或移出所述真空反应腔，实现在不打开所述真空反应腔的情况下置换所述边缘环。本实用新型结构简单，操作方便，极大地降低了基片处理系统的维护成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及一种静电装置及其所在的基片处理系统。

背景技术

等离子体处理装置具有一个真空反应腔，并利用真空反应腔的工作原理进行半导体基片的加工。真空反应腔的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂或淀积源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来点燃和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片进行加工。

等离子体处理装置的真空反应腔中包含一个基座，基座上设置有静电吸盘，所述静电吸盘用于吸附半导体基片，以便对它进行等离子体处理(刻蚀或沉积)。基座和静电吸盘的周围还设置有聚焦环、覆盖环、隔离环等边缘环，用以调节等离子体处理装置中的真空反应腔内的温度、电场强度以及气体分布等参数，从而保证半导体基片中心区域和边缘区域刻蚀(或沉积)的均匀性。

在等离子体处理装置对半导体基片进行等离子体处理时，常常会遇到边缘环损耗较大、使用寿命短的问题。由于边缘环的损耗，会导致边缘环对边缘区域的温度、电场强度以及气体分布等参数的调节发生变化，造成不同时间段内基片处理的均一性变差，此外，边缘环损耗后，静电卡盘与边缘环之间的间隙变大，造成使更多的具有腐蚀性与污染性的刻蚀气体、自由基、等离子体等气体通过上述增大的静电卡盘与边缘环之间的间隙，腐蚀攻击静电卡盘侧壁、静电卡盘侧壁密封圈、以及其他的零部件，同时也会产生聚合物、金属颗粒等杂质污染半导体晶圆，从而对成品质量造成影响。

为解决上述问题，目前通常采用的方法是：定期更换边缘环及定期清理真空反应腔中的基座和静电吸盘。而更换边缘环的过程较为复杂，需要打开所述等离体子处理装置中的真空反应腔，耗时耗力。

这里的陈述仅提供与本实用新型有关的背景技术，而并不必然地构成现有技术。

实用新型内容

本实用新型提出了一种静电装置及其所在的基片处理系统，通过机械手臂将能够产生静电吸附力的静电装置移入或移出等离子处理装置的真空反应腔内，可以在不打开真空反应腔的情况下置换受损的边缘环，或清理真空反应腔中的基座和静电吸盘上的颗粒杂质，操作简单，并且可以降低基片处理系统的维护成本。

为了达到上述目的，本实用新型的一个技术方案是提供一种用于等离子体处理装置的静电装置，所述的等离子体处理装置包含一真空反应腔，所述的真空反应腔内设置一用于支撑基片的下电极，环绕所述下电极设置一边缘环，所述静电装置用于产生吸附静电以吸附所述边缘环移入或移出所述真空反应腔。

可选地，所述静电装置中具有能够产生静电的高压模块以及为高压模块提供电能的电池模块。

可选地，所述静电装置还包含与电池模块无线通信的控制模块，通过控制电池模块的电压大小从而控制高压模块的电压大小，最终控制静电装置的静电力大小。

可选地，所述静电装置上设置夹持部，便于所述静电装置的取放及传送。

可选地，所述夹持部为设置在静电装置顶部的把手状结构。

可选地，所述夹持部为设置在静电装置外围的凹槽结构。

可选地，所述静电装置具有定位部件，所述定位部件设置在静电装置的下表面，用于定位所述边缘环的位置。

可选地，所述定位部件为环状凸起结构，或者是多个扇环状凸起结构，或者是至少一个点状凸起结构。