[实用新型]增强型半导体结构

权利要求书

1.一种增强型半导体结构，其特征在于，包括：

自下而上分布的半导体衬底(10)、异质结结构(11)、帽层(12)、第一钝化层(13)以及第二钝化层(14)；

贯穿所述第一钝化层(13)与所述第二钝化层(14)的凹槽(15)；

以及至少位于所述凹槽(15)的内壁的栅极绝缘层(17)。

2.根据权利要求1所述的增强型半导体结构，其特征在于，所述栅极绝缘层(17)为氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化铪、氧化镁、氧化钛、氧化镓中的一种。

3.根据权利要求1所述的增强型半导体结构，其特征在于，所述第二钝化层(14)与所述第一钝化层(13)的材料组合包括：SiNx/无定形AlN、SiNx/SiO2、或SiO2/SiNx。

4.根据权利要求1所述的增强型半导体结构，其特征在于，所述帽层(12)的材料为GaN。

5.根据权利要求1所述的增强型半导体结构，其特征在于，所述异质结结构(11)为Ⅲ族氮化物材料。

6.根据权利要求1所述的增强型半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述栅极绝缘层(17)上的栅极(19a)；以及位于所述栅极(19a)两侧的源极(19b)与漏极(19c)。

7.根据权利要求6所述的增强型半导体结构，其特征在于，所述异质结结构(11)自下而上包括沟道层(11a)与势垒层(11b)，所述源极(19b)与漏极(19c)接触所述沟道层(11a)或所述势垒层(11b)。

8.根据权利要求6所述的增强型半导体结构，其特征在于，位于栅极区域的所述栅极绝缘层(17)上，和/或源极区域的所述异质结结构(11)上，和/或漏极区域的所述异质结结构(11)上的N型离子重掺杂层。

9.根据权利要求8所述的增强型半导体结构，其特征在于，位于所述栅极区域的N型离子重掺杂层上的栅极(19a)，位于所述源极区域的N型离子重掺杂层上的源极(19b)，位于所述漏极区域的N型离子重掺杂层上的漏极(19c)。