[实用新型]石墨片组件以及石墨舟有效
| 申请号: | 202021974138.9 | 申请日: | 2020-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN213459669U | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
| 发明(设计)人: | 李时俊;张勇;邓金生;王凯;彭亚萍 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 林明校 |
| 地址: | 518118 广东省深圳市坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 石墨 组件 以及 | ||
本实用新型公开了石墨片组件以及石墨舟,其中,该石墨片组件包括石墨片本体,石墨片本体上具有用于放置硅片的放置空间,石墨片本体上设置有卡点组,卡点组用于支撑并定位硅片,卡点组包括多个卡点且至少包括:第一卡点,设置在放置空间的左右方向的一侧;第二卡点,设置在放置空间的左右方向的另一侧,在上下方向高于第一卡点;第三卡点,设置在放置空间的下部,且在左右方向位于靠近第一卡点的一侧;第四卡点,设置在放置空间的下部,且在左右方向位于靠近第二卡点的一侧,并且,在上下方向低于第三卡点。根据本实施例的石墨片组件,不仅能够牢固地支撑并定位硅片,且能够防止硅片从石墨舟掉片,以及至少一定程度上防止硅片绕镀。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片制造技术领域,特别涉及石墨片组件以及石墨舟。
背景技术
在太阳能电池片的制造工艺中,在硅片表面加镀减反射膜是太阳能电池制造过程中非常重要的一环,石墨舟作为PECVD工艺的载体,在光伏产业中应用广泛。随着光伏行业的发展,源硅片也逐渐大规格化、薄片化。然而,随着硅片的大规格化、薄片化,硅片在已知的石墨舟中工艺时,由于石墨舟运载或者硅片加热翘曲等原因,硅片有可能从石墨舟上掉片。此外,由于硅片的受热变形等,容易产生绕镀等工艺的不良。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决已知技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出了一种石墨片组件,能够防止硅片从石墨舟上掉片,以及至少一定程度上防止硅片绕镀。此外,本实用新型还提出了具有该石墨片组件的石墨舟。
根据本实用新型第一方面实施例的石墨片组件,包括石墨片本体,所述石墨片本体上具有用于放置硅片的放置空间,所述石墨片本体上设置有卡点组,所述卡点组用于支撑并定位所述硅片,所述卡点组至少包括:第一卡点,设置在所述放置空间的左右方向的一侧;第二卡点,设置在所述放置空间的左右方向的另一侧,在上下方向高于所述第一卡点;第三卡点,设置在所述放置空间的下部,且在左右方向位于靠近所述第一卡点的一侧;第四卡点,设置在所述放置空间的下部,且在左右方向位于靠近所述第二卡点的一侧,并且,在上下方向低于所述第三卡点。
根据本实施例的石墨片组件,至少具有如下有益效果:由于卡点组在用于放置硅片的放置空间的下部,设置了第三卡点和第四卡点,且第四卡点在上下方向低于第三卡点,因此,不仅能够牢固地支撑并定位硅片,且能够防止硅片从石墨舟掉片。此外,由于硅片的接触面积增大,硅片能够更加有效地贴合卡点,因此能够至少一定程度上防止硅片因受热而发生翘曲以致工艺镀膜时产生绕镀。
在一些实施例中,所述卡点组还包括第五卡点,所述第五卡点设置在所述放置空间的左右方向的另一侧,在上下方向高于所述第二卡点。
在一些实施例中,所述卡点组包括4至8个卡点。
在一些实施例中,所述石墨片本体上,设置有多个定位槽,所述卡点组的各卡点分别嵌入到所述定位槽内。
在一些实施例中,所述石墨片本体的厚度方向的两侧,均设置有所述放置空间以及所述卡点组。
在一些实施例中,所述石墨片本体在所述放置空间处,开设有空腔部。
在一些实施例中,所述放置空间以及所述卡点组,分别沿所述石墨片本体的左右方向设置有多个。
根据本实用新型第二方面实施例的石墨舟,包括:多个上述的石墨片组件,所述石墨片组件沿所述石墨片本体的厚度方向间隔排布;第一连接件,沿所述石墨片本体的厚度方向,分别连接所述石墨片组件。
根据本实施例的石墨舟,至少具有如下有益效果:组成石墨舟的各石墨片组件,分别在用于放置硅片的放置空间的下部,设置了第三卡点和第四卡点,且第四卡点在上下方向低于第三卡点,因此,不仅能够牢固地支撑并定位硅片,且能够防止硅片从石墨舟掉片。
在一些实施例中,相邻的两个所述石墨片组件之间的间隔范围为10mm至14mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





