[实用新型]一种漏电保护器的零火线短路限流无电弧保护电路

权利要求书

1.一种漏电保护器的零火线短路限流无电弧保护电路，其特征在于，所述电路包括交流电输入端、交流电输出端、负载短路及过流检测电路、交流过零检测电路、电源通断控制电路以及单片机U1，所述交流电输入端和交流电输出端通过火线和零线连接，所述交流电输出端用于连接负载电路，所述负载短路及过流检测电路一端连接火线，另一端连接单片机U1，所述交流过零检测电路连接单片机U1，所述电源通断控制电路包括至少一组连接在火线输入端和火线输出端之间的MOS场效应管组，每组MOS场效应管组包括两个串接的MOS场效应管，所述MOS场效应管的栅极G均连接至单片机U1，当检测到负载短路或过流时，单片机U1控制MOS场效应管关闭断开负载输出，且MOS场效应管的开启或关闭均由单片机U1在交流电过零时进行控制。

2.根据权利要求1所述的一种漏电保护器的零火线短路限流无电弧保护电路，其特征在于，所述单片机U1的型号为STC8F1K08。

3.根据权利要求2所述的一种漏电保护器的零火线短路限流无电弧保护电路，其特征在于，所述电源通断控制电路包括MOS场效应管Q1和Q2，所述MOS场效应管Q1的源极D连接火线输入端，所述MOS场效应管Q1和Q2的漏极S均连接至V-端，所述MOS场效应管Q2的源极D连接火线输出端，所述MOS场效应管Q1和Q2的栅极均连接至单片机U1的RST端口，所述负载短路及过流检测电路包括三极管Q3和Q4，所述三极管Q3和Q4的集电极连接单片机U1的P3.3端口，所述三极管Q3和Q4的发射极均连接V-端，所述三极管Q3的基极一端连接火线输出端，另一端连接V+端，所述三极管Q4的基极一端连接火线输入端，另一端连接V+端，所述交流过零检测电路包括二极管D1、D2和电阻R7，所述二极管D1的正极连接火线输入端，二极管D2的正极连接火线输出端，二极管D1和D2的负极连接电阻R7后连接至单片机U1的P3.2端口。

4.根据权利要求2所述的一种漏电保护器的零火线短路限流无电弧保护电路，其特征在于，所述电路还包括工作电源电路，所述工作电源电路包括电阻R10、二极管D3、稳压二极管D4、电容C1和电容C4，所述电阻R10一端连接零线输入端，另一端连接二极管D3的正极，二极管D3的负极连接V+端和单片机U1的VCC端，稳压二极管D4的正极连接V-端，稳压二极管D4的负极连接在二极管D3的负极与单片机U1的VCC端之间，电容C1和电容C4的正极均连接在二极管D3的负极与单片机U1的VCC端之间，稳压二极管D4的正极以及电容C1和电容C4的负极均连接至单片机U1的GND端。

5.根据权利要求1所述的一种漏电保护器的零火线短路限流无电弧保护电路，其特征在于，所述单片机U1的型号为STC12C5608AD。

6.根据权利要求1所述的一种漏电保护器的零火线短路限流无电弧保护电路，其特征在于，所述负载短路及过流检测电路包括二极管D3和D6，二极管D3的正极连接火线输入端，二极管D6的正极连接火线输出端，二极管D3和D6的负极均经端子J3的J3_15口连接至单片机U1的P3.2端口，所述电源通断控制电路包括4个MOS场效应管Q1、Q6、Q3和Q10，MOS场效应管Q1的漏极S和Q6的漏极S串接，MOS场效应管Q3的漏极S和Q10的漏极S串接，两组并联的MOS场效应管组一端通过Q1和Q3的源极D连接火线输入端，另一端通过Q6和Q10的源极D串接继电器K2的常开触点后连接至火线输出端，所述单片机U1的P3.3端口经端子J3的J3_17口连接三极管Q7和Q8的基极，单片机U1的P3.3端口用于触发MOS管导通为负载输出供电，所述三极管Q7的集电极连接MOS场效应管Q1和Q6的栅极G，所述三极管Q8的集电极连接MOS场效应管Q3和Q10的栅极G，所述MOS场效应管Q1、Q6、Q3和Q10的栅极G分别连接三极管Q5和三极管Q9并经端子J3的J3_18口和J3_19口分别连接至单片机U1的P3.4端口和P3.5端口，单片机U1的P3.4端口和P3.5端口分别用于在交流过零时进行MOS场效应管Q1、Q6、Q3和Q10的开启和关闭驱动信号控制。