[实用新型]一种高门槛高管压降大功率二极管有效
| 申请号： | 202021900031.X | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN212907714U | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 谢伟;葛洲;黎兴源;黄珂;杨莹冰;葛铁军;王益;张开元;耿星洁;周良;潘琪;周玮;陈启德 | 申请（专利权）人： | 深圳地铁建设集团有限公司;珠海南自电气系统工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/38 | 分类号： | H01L23/38;H01L23/367;H01L29/861 |
| 代理公司： | 成都禾创知家知识产权代理有限公司 51284 | 代理人： | 裴娟 |
| 地址： | 518026 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 门槛 高管压降 大功率 二极管 | ||
1.一种高门槛高管压降大功率二极管，包括二极管芯片（1），其特征在于，所述二极管芯片（1）下方设有第一隔离层（2），第一隔离层（2）下方设有多组半导体PN结，所述半导体PN结包括一个N型半导体（3）和一个P型半导体（5）；N型半导体（3）上端通过上导电层（4）与同组P型半导体（5）连接，下端通过下导电层（14）与相邻半导体PN结的P型半导体（5）连接；下导电层（14）下设有第二隔离层（13）；第二隔离层（13）下方设有热沉（8）；左端半导体PN结中N型半导体（3）的下端通过下导电层（14）连接正散热引脚（6）；右端半导体PN结中P型半导体（5）的下端通过下导电层（14）连接负散热引脚（7）。
2.根据权利要求1所述的一种高门槛高管压降大功率二极管，其特征在于，所述热沉（8）包括若干散热柱（9），散热柱（9）侧面设有散热翅片（10）。
3.根据权利要求1或权利要求2任一所述的一种高门槛高管压降大功率二极管，其特征在于，所述二极管还包括封装外壳（12），封装外壳（12）设有供芯片引脚（11）、正散热引脚（6）、负散热引脚（7）通过的引脚孔，封装外壳（12）顶部设有凸起。
4.根据权利要求1所述的一种高门槛高管压降大功率二极管，其特征在于，所述第一隔离层（2）和第二隔离层（13）材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的一种高门槛高管压降大功率二极管，其特征在于，所述上导电层（4）和下导电层（14）材料为铜。
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