[实用新型]一种真空回流焊结构和装置有效
| 申请号： | 202021895428.4 | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN213184215U | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;刘耀钟 | 申请（专利权）人： | 广东芯聚能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B23K3/00;B23K3/08;B23K37/04 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 常柯阳 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 真空 回流 结构 装置 | ||
1.一种真空回流焊结构，其特征在于，包括：
底板，向下弯曲设置；
焊料，设置于所述底板的上表面；
陶瓷覆铜板，设置于所述焊料上方；
芯片，设置于所述陶瓷覆铜板上方；
盖板，自所述芯片的上方朝所述底板盖合设置，所述盖板与所述底板朝相同方向弯曲且与所述底板贴合。
2.根据权利要求1所述真空回流焊结构，其特征在于：所述底板的弯曲度与所述盖板的弯曲度相同。
3.根据权利要求1所述真空回流焊结构，其特征在于：所述底板和所述盖板的规格参数相同，所述规格参数包括厚度、长度、宽度、弯曲加工度和材质。
4.根据权利要求1所述真空回流焊结构，其特征在于：所述底板上设置有固定孔，所述盖板上设置有固定柱，所述固定柱与所述固定孔连接固定。
5.根据权利要求1所述真空回流焊结构，其特征在于：所述陶瓷覆铜板的上表面的高度高于所述底板的下表面的最低高度。
6.一种真空回流焊装置，其特征在于：包括若干盖板和若干IGBT模块，每一盖板对应一所述IGBT模块，每一所述IGBT模块包括底板、焊料、陶瓷覆铜板和芯片；
所述底板向下弯曲设置；
所述焊料设置于所述底板的上表面；
所述陶瓷覆铜板设置于所述焊料上方；
所述芯片，设置于所述陶瓷覆铜板上方；
所述盖板自所述芯片的上方朝所述底板盖合设置，所述盖板与所述底板朝相同方向弯曲且与所述底板贴合。
7.根据权利要求6所述真空回流焊装置，其特征在于：所述底板的弯曲度与所述盖板的弯曲度相同。
8.根据权利要求6所述真空回流焊装置，其特征在于：所述底板和所述盖板的规格参数相同，所述规格参数包括厚度、长度、宽度、弯曲加工度和材质。
9.根据权利要求6所述真空回流焊装置，其特征在于：所述底板上设置有固定孔，所述盖板上设置有固定柱，所述固定柱与所述固定孔连接固定。
10.根据权利要求6所述真空回流焊装置，其特征在于：所述陶瓷覆铜板的上表面的高度高于所述底板的下表面的最低高度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
