[实用新型]TVS过压保护器件有效
| 申请号: | 202021859269.2 | 申请日: | 2020-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN212811289U | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
| 发明(设计)人: | 唐兴军;王亚 | 申请(专利权)人: | 苏州兴锝电子有限公司 |
| 主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H01L29/861;H01L23/49 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 王健 |
| 地址: | 215010 江苏省苏州市高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | tvs 保护 器件 | ||
本实用新型公开一种TVS过压保护器件,包括第一瞬态抑制二极管芯片、第二瞬态抑制二极管芯片、第一引线条和第二引线条,所述第一引线条的两端分别为支撑部和第一引脚部,所述第一瞬态抑制二极管芯片、第二瞬态抑制二极管芯片层叠设置且第一瞬态抑制二极管芯片的负极、第二瞬态抑制二极管芯片的正极通过金属焊接层电连接;所述第二引线条的焊接部的边缘开有至少1个第二通孔,此第二通孔的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片相背的第二翻边部;所述第二引线条的第二折弯部、第一引线条的第一折弯部均开有一第三通孔。本实用新型有效地保护电子线路中的精密元器件的同时,免了焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低,从而提高了器件的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种TVS过压保护器件。
背景技术
瞬态电压抑制器(TVS)是一种用来保护敏感半导体器件,使其免遭瞬态电压浪涌破坏而特别设计的固态半导体器件,它具有箝位系数小、体积小、响应快、漏电流小和可靠性高等优点,因而在电压瞬变和浪涌防护上得到了广泛的应用。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种TVS过压保护器件,该TVS过压保护器件有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏的同时,免了焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低,从而提高了器件的使用寿命。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种TVS过压保护器件,包括第一瞬态抑制二极管芯片、第二瞬态抑制二极管芯片、第一引线条和第二引线条,所述第一引线条的两端分别为支撑部和第一引脚部,所述第一引线条的支撑部和第一引脚部之间具有一第一折弯部,所述第二引线条的两端分别为焊接部和第二引脚部,所述第二引线条的焊接部和第二引脚部之间具有一第二折弯部,一环氧封装体包覆于第一瞬态抑制二极管芯片、第二瞬态抑制二极管芯片、第一引线条的支撑部和第二引线条的焊接部上,所述第一瞬态抑制二极管芯片的正极、第二瞬态抑制二极管芯片的负极分别与第一引线条的支撑部和第二引线条的焊接部电连接,所述第一瞬态抑制二极管芯片、第二瞬态抑制二极管芯片层叠设置且第一瞬态抑制二极管芯片的负极、第二瞬态抑制二极管芯片的正极通过金属焊接层电连接;
所述第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔,此第一通孔的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片相背的第一翻边部,所述第二引线条的焊接部的边缘开有至少1个第二通孔,此第二通孔的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片相背的第二翻边部;所述第二引线条的第二折弯部、第一引线条的第一折弯部均开有一第三通孔。
上述技术方案中进一步改进的方案如下:
1. 上述方案中,所述第一引线条的第一引脚部、第二引线条的第二引脚部分别从环氧封装体左右两端延伸出。
2. 上述方案中,所述金属焊接层为金属锡层或金属银层。
3. 上述方案中,所述第三通孔为圆通孔。
由于上述技术方案的运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
本实用新型TVS过压保护器件,在受到反向瞬态高能量冲击时,能瞬间将其两极间的高阻抗变为低阻抗,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏的同时,其第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔,此第一通孔的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片相背的第一翻边部,所述第二引线条的焊接部的边缘开有至少1个第二通孔,此第二通孔的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片相背的第二翻边部,避免了焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低,大大改善了引线条的支撑部和焊接部与第一瞬态抑制二极管芯片电性接触性能和平整度,从而提高了器件的使用寿命;还有,其引线条的通孔边缘具有翻边部,有利于进一步降低接触电阻,从而进一步提高了器件的稳定性。
附图说明
附图1为本实用新型TVS过压保护器件的立体结构示意图;
附图2为附图1的剖面结构示意图。
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