[实用新型]单向可控硅器件

说明书

本实用新型公开一种单向可控硅器件，其通孔内设置有一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接；可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板；阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚各自末端均为扁平片状管脚，此扁平片状管脚的宽度大于相应的阳极管脚、阴极管脚和栅极管脚的宽度。本实用新型单向可控硅器件既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也能更长时间承受电流冲击，进一步提高了器件的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种单向可控硅器件。

背景技术

可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种单向可控硅器件，该单向可控硅器件既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也能更长时间承受电流冲击，进一步提高了器件的使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种单向可控硅器件，包括：可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极、阴极电极和栅极电极，所述陶瓷绝缘片开有通孔，此通孔内设置有一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；

所述可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述阴极电极的阴极焊接部与可控硅芯片的阴极区通过第一导线连接，所述栅极电极的栅极焊接部与可控硅芯片的栅极区通过第二导线连接；

所述陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板，此散热板上开有一圆孔，所述环氧封装体上表面或者下表面开有至少一个盲孔；

所述阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出，此阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚各自末端均为扁平片状管脚，此扁平片状管脚的宽度大于相应的阳极管脚、阴极管脚和栅极管脚的宽度，所述扁平片状管脚的中心处开有一矩形通孔。

1. 上述方案中，所述环氧封装体上表面和下表面均开有至少一个盲孔。

2. 上述方案中，所述阴极电极、栅极电极均位于陶瓷绝缘片的前侧。

3. 上述方案中，所述阳极电极的阳极焊接部和阳极管脚之间具有一折弯部。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1. 本实用新型单向可控硅器件，其陶瓷绝缘片开有通孔，此通孔内设置有一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；大大增加了可控硅芯片与陶瓷绝缘片接触面积，且直接接触，既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也增加了可控硅芯片与阳极电极的垂直距离，提高了器件电性的可靠性。